【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种高电压试验装置。
技术介绍
1、在将功率mosfet(功率金属氧化物半导体场效应管)等作为试验对象物的高温反偏压试验中，对试验对象物施加高温且高电压的压力(stress)，由此测量试验对象物发生绝缘击穿为止的时间。
2、如果试验对象物发生绝缘击穿，则高电压侧的电极(例如漏极)与低电压侧的电极(例如源极)短路，从而在包括电源和试验对象物的闭电路流通大电流或浪涌电流。其结果，有时因该大电流或浪涌电流而试验对象物烧坏或闭电路上的外围设备发生故障。
3、对此，在
技术介绍
涉及的试验装置中，采取了通过在闭电路的高电压侧的布线上配置熔断元件或保护电阻来防止试验对象物的烧坏或外围设备的故障的对策。
4、另外，在日本专利公开公报特开昭61-139767号中公开了具有在包括作为电源的蓄电池和作为试验对象物的二极管的闭电路的布线上串联配置可变电阻器以及熔断器而成的电路结构的试验装置。
5、由于高电压用的熔断元件价格非常高，因此，如果每当进行试验时更换熔断元件，则试验成本增加。此外，在熔断元件没...
【技术保护点】
1.一种高电压试验装置，实施对试验对象物的高电压试验，其特征在于包括：
2.根据权利要求1所述的高电压试验装置，其特征在于还包括：
3.根据权利要求1所述的高电压试验装置，其特征在于还包括：
4.根据权利要求1所述的高电压试验装置，其特征在于，
5.根据权利要求1所述的高电压试验装置，其特征在于还包括：
6.根据权利要求5所述的高电压试验装置，其特征在于还包括：
7.根据权利要求5所述的高电压试验装置，其特征在于，
【技术特征摘要】
1.一种高电压试验装置，实施对试验对象物的高电压试验，其特征在于包括：
2.根据权利要求1所述的高电压试验装置，其特征在于还包括：
3.根据权利要求1所述的高电压试验装置，其特征在于还包括：
4.根据权利要求1...
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