一种空位诱导P掺杂CoSe2复合材料及其制备方法技术

本申请公开了一种空位诱导P掺杂CoSe<subgt;2</subgt;复合材料及其制备方法，通过在CoSe<subgt;2</subgt;中制造空位并诱导P的掺杂得到了P‑CS‑0.5复合材料。空位的存在可以通过调控电子结构改良材料的电导率及催化活性，而P的掺杂则稳定了材料的结构。材料的表面化学态表征结果显示：随着空位浓度增加，Co<supgt;+3</supgt;的峰面积逐渐变小，同时Se原子周围的电子云密度降低，使得Se 3d轨道的结合能不断增加，而将P原子引入空位之后，Se 3d轨道又向低结合能方向移动。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及电池材料的，特别是一种空位诱导p掺杂cose2复合材料及其制备方法。

技术介绍

1、在各种金属化合物中，钴基材料具有松散结合d-电子的低自旋尖晶石结构，这有助于改善导电性并加快电化学反应中的电荷转移。因此，二硒化钴（cose2）表现出多种3d结构、高导电性和丰富的形貌等特点，从而显示出优异的电化学性能，这为光电催化、电池和超级电容器等绿色能源应用提供了机会。但是循环性差、比表面积小和团聚严重等问题限制了cose2 在高能量输出领域的广泛使用。因此，需要更进一步从形貌、晶体结构、活性位点等方面优化cose2以满足高性能储能器件的要求。

2、硒空位的引入会破坏cose2 晶体结构且产生不饱和原子位，这有利于调节氧物种的表面吸附能和促进氧化还原反应动力学。同时，晶体中无序缺陷的形成会使内部的原子不可避免地暴露在表面上，导致费米能级附近的态密度增加。因此，se 空位会产生大量的活性位点，进一步提升电化学性能。

3、基于此，本申请通过在cose2中制造空位并诱导p的掺杂得到相应的复合材料。空位的存在可以通过调控电子结构改良材料的电导本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种空位诱导P掺杂CoSe2复合材料及其制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

2.根据权利要求1所述的复合材料制备方法，其特征在于，所述步骤S1中Co(NO3)2·6H2O和十六烷基三甲基溴化铵的质量比为（15～20）：1，Co(NO3)2·6H2O与去离子水的质量体积比为15mg：1ml。

3.根据权利要求1所述的复合材料制备方法，其特征在于，所述步骤S1中2-甲基咪唑与去离子水的质量体积比为6～8mg：1ml。

4.根据权利要求1所述的复合材料制备方法，其特征在于，所述步骤S1中的干燥温度为60～80℃，反应时间为8～16h。

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【技术特征摘要】

1.一种空位诱导p掺杂cose2复合材料及其制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

2.根据权利要求1所述的复合材料制备方法，其特征在于，所述步骤s1中co(no3)2·6h2o和十六烷基三甲基溴化铵的质量比为（15～20）：1，co(no3)2·6h2o与去离子水的质量体积比为15mg：1ml。

3.根据权利要求1所述的复合材料制备方法，其特征在于，所述步骤s1中2-甲基咪唑与去离子水的质量体积比为6～8mg：1ml。

4.根据权利要求1所述的复合材料制备方法，其特征在于，所述步骤s1中的干燥温度为60～80℃，反应时间为8～16h。

5.根据权利要求1所述的复合材料制备方法，其特...

【专利技术属性】
技术研发人员：唐少春，周晓亚，吴阳，
申请(专利权)人：海安南京大学高新技术研究院，
类型：发明
国别省市：