【技术实现步骤摘要】
本技术涉及射频开关领域，具体涉及一种宽带吸收式单刀双掷射频开关。
技术介绍
1、开关是射频集成电路中至关重要的组成部分，主要有反射式开关和吸收式开关两个种类。反射式开关则是在关断状态下，处于开路或者短路状态，对信号全反射，所以关断状态下驻波很差；吸收式开关是在关断状态下，通过50ω负载吸收反射信号，保证在关断状态也拥有很好的驻波。
2、由于吸收式开关的每一路都是通过负载短接到地的，所以耦合信号会先被负载吸收，然后再被gnd吸收，不会传导到接收路径上，再加上良好的隔离度，这样就会大大地降低额外产生的底噪，拥有良好的系统抗干扰能力。因此吸收式开关拥有十分广泛的应用范围，主要适用于电感式负载断电保护，如电磁炉，电动机等等。
3、随着现代通信技术和电子对抗的不断发展，对单刀双掷开关的要求越来越高，宽带吸收，低损耗，高隔离度的开关已经成为研究热点。与反射式开关相比，吸收式开关在隔离状态下各支路也拥有良好的驻波，因而可以保持系统的稳定性，在很多情况下都是反射式开关无法替代的。因此，在宽带下保持较低的插入损耗的吸收式单刀双掷射频开关是一个技术热点。
技术实现思路
1、本技术的目的在于克服现有技术的缺点，提供一种宽带吸收式单刀双掷射频开关，降低了插入损耗。
2、本技术采取如下技术方案实现上述目的，本技术提供一种宽带吸收式单刀双掷射频开关，包括输入端口rf1、第一输出端口rf2、第二输出端口rf3、第一晶体管mos1、第二晶体管mos2、第三晶体管mos3、第四晶
3、本技术的有益效果：
4、本技术引入了电阻r，通过对电阻r的值和并联谐振的合理设计，保证了关断状态也能维持良好的驻波比，并且在没增加过多面积的同时保证了高频处的性能和良好的隔离度。在开关的两种状态下，本设计方案都具有较低的插入损耗和较高的隔离度。
5、电感l和电阻r在两个端口通断过程中都发挥了有益作用，是共享的，这一定程度上减小了对芯片面积的消耗。
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1.一种宽带吸收式单刀双掷射频开关，其特征在于，包括输入端口(RF1)、第一输出端口(RF2)、第二输出端口(RF3)、第一晶体管(Mos1)、第二晶体管(Mos2)、第三晶体管(Mos3)、第四晶体管(Mos4)、电感(L)以及电阻(R)，输入端口(RF1)分别与第一晶体管(Mos1) 的源极、第二晶体管(Mos2)的源极以及电感(L)的一端连接，电感(L)的另一端通过电阻(R)接地，第一晶体管(Mos1)的漏极分别与第一输出端口(RF2)以及第三晶体管(Mos3)的源极连接，第三晶体管(Mos3)的漏极通过电阻(R)接地，第二晶体管(Mos2)的漏极分别与第二输出端口(RF3)以及第四晶体管(Mos4)的源极连接，第四晶体管(Mos4)的漏极通过电阻(R)接地，第一晶体管(Mos1)、第二晶体管(Mos2)、第三晶体管(Mos3)以及第四晶体管(Mos4)的栅极分别与控制端连接。
【技术特征摘要】
1.一种宽带吸收式单刀双掷射频开关，其特征在于，包括输入端口(rf1)、第一输出端口(rf2)、第二输出端口(rf3)、第一晶体管(mos1)、第二晶体管(mos2)、第三晶体管(mos3)、第四晶体管(mos4)、电感(l)以及电阻(r)，输入端口(rf1)分别与第一晶体管(mos1) 的源极、第二晶体管(mos2)的源极以及电感(l)的一端连接，电感(l)的另一端通过电阻(r)接地，第一晶体...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈生川，裴建国，周科吉，周永虎，
申请(专利权)人：成都玖锦科技有限公司，
类型：新型
国别省市：
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