多层构造的磁流变旋转阻尼器制造技术

技术编号:43168085 阅读:18 留言:0更新日期:2024-11-01 19:59
本发明专利技术公开了一种多层构造的磁流变旋转阻尼器,所述磁流变旋转阻尼器包括:具有多层构造的套筒,所述套筒具有内腔,在所述内腔内密封填充作为工作流体的磁流变流体;可旋转地设在所述内腔中的转子,所述转子的转子轴的至少一端露出所述套筒;和设置在所述套筒中用于产生激励磁场的励磁线圈。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及磁流变器件,具体涉及多层构造的磁流变旋转阻尼器


技术介绍

1、磁流变技术和装备在全球和中国处于技术和应用大规模增长的时期。在军民用汽车、工程机械、工程车辆、医疗器械、工业加工和设备减震等领域,正在越来越多应用磁流变流体作为工作介质的磁流变阻尼器来实现减震、阻尼、缓冲等技术效果。

2、本专利技术人之前设计的磁流变旋转阻尼器一般为单层的构造,即,其容纳磁流变流体的流体仓一般就是单腔的设计,即,一个简单的腔体或通道,而非复合或多层构造的流体仓,并且磁流变旋转阻尼器转子的阻尼叶片也是简单的单层构造,而非复合的多层构造。流体仓和转子阻尼叶片此类单层构造能够提供的旋转阻尼力以及阻尼力调节范围都是相对较小的,因为要受到此类流体仓的构造、容积以及阻尼叶片的构造、结构强度等等的局限和约束。因此,在不增大流体仓容积、不调整流体仓结构的前提下,在输入工作电流不变的情形下,如果想要增大磁流变抵抗扭矩,只能更换更高磁粉浓度的磁流变流体,因此增大磁流变旋转阻尼的调整范围非常有限。

3、本专利技术人之前设计的磁流变旋转阻尼器的设计、调整和工作的灵本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种多层构造的磁流变旋转阻尼器,其特征在于,所述多层构造的磁流变旋转阻尼器包括:

2.根据权利要求1所述的多层构造的磁流变旋转阻尼器,其特征在于,所述套筒具有至少三层构造,使得所述内腔包括至少两个套叠的内腔。

3.根据权利要求2所述的多层构造的磁流变旋转阻尼器,其特征在于,所述套筒包括:

4.根据权利要求3所述的多层构造的磁流变旋转阻尼器,其特征在于,所述转子包括:转子轴;与所述转子轴同轴地布置且与所述转子轴径向地间隔开的转子筒段;和中间段,所述中间段在径向上将所述转子轴与所述转子筒段相连。

5.根据权利要求4所述的多层构造的磁流变旋转...

【技术特征摘要】

1.一种多层构造的磁流变旋转阻尼器,其特征在于,所述多层构造的磁流变旋转阻尼器包括:

2.根据权利要求1所述的多层构造的磁流变旋转阻尼器,其特征在于,所述套筒具有至少三层构造,使得所述内腔包括至少两个套叠的内腔。

3.根据权利要求2所述的多层构造的磁流变旋转阻尼器,其特征在于,所述套筒包括:

4.根据权利要求3所述的多层构造的磁流变旋转阻尼器,其特征在于,所述转子包括:转子轴;与所述转子轴同轴地布置且与所述转子轴径向地间隔开的转子筒段;和中间段,所述中间段在径向上将所述转子轴与所述转子筒段相连。

5.根据权利要求4所述的多层构造的磁流变旋转阻尼器,其特征在于,所述转子筒段以间隙配合的方式可旋转地插入所述第一层内腔中,由此在所述第一层内腔中形成的轴向延伸的间隙作为容纳磁流变流体的流体仓的一部分。

6.根据权利要求5所述的多层构造的磁流变旋转阻尼器,其特征在于,所述转子轴的转子轴内段以间隙配合的方式可旋转地插入所述第三层内腔中,由此在所述第三层内腔中形成的轴向延伸的间隙作为容纳磁流变流...

【专利技术属性】
技术研发人员:黄恺
申请(专利权)人:深圳博海新材料技术有限公司
类型:发明
国别省市:

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