【技术实现步骤摘要】
本公开涉及一种用于借助于具有至少一个晶体管的处理装置来处理输入参量的方法。本公开还涉及一种用来执行用于借助于具有至少一个晶体管的处理装置来处理输入参量的方法的设备。
技术介绍
技术实现思路
1、示例性的实施方式涉及一种用于借助于具有至少一个第一晶体管、例如场效应晶体管的处理装置来处理输入参量的方法,该方法具有:
2、提供第一晶体管和第一忆阻电路装置,该第一忆阻电路装置表征与第一晶体管相关联的第一输入参量,其中,借助于该第一忆阻电路装置,能影响与第一晶体管的控制电极相关联、例如相连接的电容的充电电流;
3、向第一晶体管的控制电极施加第一操控信号,该第一操控信号表征与第一晶体管相关联的第二输入参量,并且该第一操控信号至少暂时具有非恒定幅度;
4、基于对经过第一晶体管的负载路径的电流的随时间的变化过程进行表征的第一参量,确定第一输出参量。
5、在其它示例性的实施方式中,由此,例如可以基于第一输入参量和第二输入参量在使用晶体管的情况下、即例如基于硬件地执行计算。
6、在本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种用于借助于具有至少一个第一晶体管(110-1)、例如场效应晶体管的处理装置(100;100a)来处理输入参量的方法,所述方法具有:
2.根据权利要求1所述的方法,
3.根据上述权利要求中的至少一项所述的方法,
4.根据上述权利要求中的至少一项所述的方法,所述方法具有:
5.根据上述权利要求中的至少一项所述的方法,所述方法具有:
6.根据上述权利要求中的至少一项所述的方法,所述方法具有:
7.根据上述权利要求中的至少一项所述的方法,所述方法具有:
8.根据权利要求7所述的方法,<
...【技术特征摘要】
1.一种用于借助于具有至少一个第一晶体管(110-1)、例如场效应晶体管的处理装置(100;100a)来处理输入参量的方法,所述方法具有:
2.根据权利要求1所述的方法,
3.根据上述权利要求中的至少一项所述的方法,
4.根据上述权利要求中的至少一项所述的方法,所述方法具有:
5.根据上述权利要求中的至少一项所述的方法,所述方法具有:
6.根据上述权利要求中的至少一项所述的方法,所述方法具有:
7.根据上述权利要求中的至少一项所述的方法,所述方法具有:
8.根据权利要求7所述的方法,
9.根据上述权利要求中的至少一项所述的方法,
10.根据上述权利要求中的至少一项所述的方法,
11.根据权利要求10所述的方法,所述方法具有:
12.根据上述权利要求中的至少一项所述的方法,
13.根据上述权利要求中的至少一项所述的方法,所述方法具有:
14.根据权利要求9至13中的至少一项所述的方法,
15.根据上述权利要求中的至少一项所述的方法,
16.根据上述权利要求中的至少一项所述的方法,
17.根据权利要求9至16中的至少一项所述的方法,
18.根据上述权利要求中的至少一项所述的方法,
19.根据上述权利要求中的至少一项所述的方法,所述方法具有:
20.根据上述权利要求中的至少一项所述的方法,...
【专利技术属性】
技术研发人员:T·索里曼,T·基尔希纳,
申请(专利权)人:罗伯特·博世有限公司,
类型:发明
国别省市:
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