【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体，特别涉及一种前照式图像传感器实现方法及前照式图像传感器。
技术介绍
1、近年来，cmos图像传感器因具备低功耗、低成本、cmos工艺兼容等特点，逐渐在多个领域得到越来越广泛的应用，如消费电子、汽车电子、安防、生物医疗、工业监控等。在cmos图像传感器中，单个像素单元的光电二极管具备一定的产生或积累电荷的上限，即满阱容量，当单个像素单元的光电二极管接收强的入射光时，该光电二极管就很容易达到满阱容量，当积累的光电子过多时，就容易产生该像素单元的光电子向周围邻近像素单元的光电二极管迁移的浮散过程，使得邻近像素的光电子数增加，导致图像质量下降。因此，从设计和工艺上改善浮散现象是cmos图像传感器设计和制备的重点。
2、当前，业界主要通过在像素单元中设计溢出漏结构，引导多余光电子向溢出漏溢出，而不向邻近的光电二极管迁移，以此来改善浮散现象。如在光电二极管的周边额外新增一个类似转移晶体管（tx）的晶体管，并增加一个高压漏极作为溢出通道，但这种设计方案难以适用于小尺寸像素设计。常见cmos图像传感器的像素单元的结构可...
【技术保护点】
1.一种前照式图像传感器的实现方法，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的前照式图像传感器的实现方法，其特征在于，所述刻蚀半导体衬底之前，还包括：
3.如权利要求2所述的前照式图像传感器的实现方法，其特征在于，所述提供第一掺杂层之后，还包括：
4.如权利要求3所述的前照式图像传感器的实现方法，其特征在于，通过外延工艺于所述第一掺杂层表面形成所述第二掺杂层；
5.如权利要求3所述的前照式图像传感器的实现方法，其特征在于，形成所述第一深沟槽后，还包括：
6.如权利要求5所述的的前照式图像传感器的实现方法，其特...
【技术特征摘要】
1.一种前照式图像传感器的实现方法，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的前照式图像传感器的实现方法，其特征在于，所述刻蚀半导体衬底之前，还包括：
3.如权利要求2所述的前照式图像传感器的实现方法，其特征在于，所述提供第一掺杂层之后，还包括：
4.如权利要求3所述的前照式图像传感器的实现方法，其特征在于，通过外延工艺于所述第一掺杂层表面形成所述第二掺杂层；
5.如权利要求3所述的前照式图像传感器的实现方法，其特征在于，形成所述第一深沟槽后，还包括：
6.如权利要求5所述的的前照式图像传感器的实现方法，其特征在于，所述第二掺杂层至少部分覆盖所述第一掺杂层。
7.如权利要求1所述的前照式图像传感器的实现方法，其特征在于，所述刻蚀半导体衬底形成第一深沟槽及由所述第一深沟槽间隔的半导体岛状结构时，形成悬梁连接结构，使至少部分所述半导体岛状结构上部之间通过所述悬梁连接结构相互连接。
8.如权利要求5所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈丹科，
申请(专利权)人：格科微电子上海有限公司，
类型：发明
国别省市：
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