选通管材料及其获取方法、相变存储芯片、存储设备及电子设备技术

本申请公开了选通管材料及其获取方法、相变存储芯片、存储设备及电子设备，属于半导体存储技术领域。该选通管材料的化学式为(Ge<subgt;x</subgt;S<subgt;1‑x</subgt;)<subgt;1‑y</subgt;M<subgt;y</subgt;，M元素为Te或Sn元素；0.2≤x≤0.7，0＜y≤0.4。或者为[(Ge<subgt;x</subgt;S<subgt;1‑x</subgt;)<subgt;1‑y</subgt;M<subgt;y</subgt;]<subgt;1‑z</subgt;N<subgt;z</subgt;，M元素和N元素不同，两者分别选自Te元素、Sn元素、C元素、Si元素中的一种；0.2≤x≤0.7，0＜y≤0.4，0≤z≤0.4。该选通管材料中各个元素协同配合，不仅使选通管材料兼具较低的阈值电压和较低的关态漏电流，还利于提高选通管材料的热稳定性。并且，第一掺杂元素M和第二掺杂元素N均是无毒的，对环境友好，不会产生安全隐患。

【技术实现步骤摘要】

本公开涉及半导体存储，特别涉及选通管材料及其获取方法、相变存储芯片、存储设备及电子设备。

技术介绍

1、相变存储器(phase change memory，pcm)在高存储密度和快运行速度方面具有较大的潜力，相变存储器包括多个相变存储单元，相变存储单元在读、擦、写操作时存在着漏电流，为了防止漏电流对邻近的相变存储单元产生不利影响，针对每一个相变存储单元配置一个起到开关作用的选通管单元。

2、选通管单元包括由选通管材料制备得到的选通层，例如，相关技术提供了一些选通管材料，其包括geassise材料、geassite材料等。

3、然而，geassise材料或者geassite材料包括含有毒性的as元素，使其存在安全隐患。

4、公开内容

5、鉴于此，本公开提供了选通管材料及其获取方法、相变存储芯片、存储设备及电子设备，能够解决上述技术问题。

6、具体而言，包括以下的技术方案：

7、一方面，提供了一种选通管材料，所述选通管材料的化学式为(gexs1-x)1-ymy，m元素选自te元素或者sn元本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种选通管材料，其特征在于，所述选通管材料的化学式为(GexS1-x)1-yMy，M元素选自Te元素或者Sn元素；

2.根据权利要求1所述的选通管材料，其特征在于，所述M元素为Te元素；

3.根据权利要求1所述的选通管材料，其特征在于，所述M元素为Sn元素；

4.一种选通管材料，其特征在于，所述选通管材料的化学式为[(GexS1-x)1-yMy]1-zNz；

5.根据权利要求4所述的选通管材料，其特征在于，所述M元素为Te元素；

6.根据权利要求5所述的选通管材料，其特征在于，所述N元素为C元素或者Si元素；

7...

【技术特征摘要】

1.一种选通管材料，其特征在于，所述选通管材料的化学式为(gexs1-x)1-ymy，m元素选自te元素或者sn元素；

2.根据权利要求1所述的选通管材料，其特征在于，所述m元素为te元素；

3.根据权利要求1所述的选通管材料，其特征在于，所述m元素为sn元素；

4.一种选通管材料，其特征在于，所述选通管材料的化学式为[(gexs1-x)1-ymy]1-znz；

5.根据权利要求4所述的选通管材料，其特征在于，所述m元素为te元素；

6.根据权利要求5所述的选通管材料，其特征在于，所述n元素为c元素或者si元素；

7.根据权利要求5所述的选通管材料，其特征在于，所述n元素为sn元素；

8.根据权利要求4所述的选通管材料，其特征在于，所述m元素为sn元素；

9.根据权利要求8所述的选通管材料，其特征在于，所述n元素为c元素或者si元素；

10.根据权利要求8所述的选通管材料，其特征在于，所述n元素为te...

【专利技术属性】
技术研发人员：郭艳蓉，杨哲，童浩，
申请(专利权)人：华为技术有限公司，
类型：发明
国别省市：