【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及电磁屏蔽领域,具体涉及一种电-磁双梯度薄膜及其制备方法与应用。
技术介绍
1、由于电子通讯技术的快速发展,电磁辐射污染变得愈发严重。为了确保电子仪器的正常运行和人类生产生活的安全,迫切需要开发具有高效电磁屏蔽性能的防护材料。目前,常用的金属基和聚合物基屏蔽材料通过高导电性来实现优异电磁屏蔽性能。然而,这类材料在屏蔽电磁波的过程中由于表面的高导电性使电磁波发生反射并重新进入到环境中,对环境造成二次污染。开发新型低反射、高吸收的电磁屏蔽材料能有效缓解由屏蔽材料引起的二次污染问题。
2、高吸收的电磁屏蔽材料应在材料表面降低对电磁波的反射,而在材料内部将电磁能消耗。为降低电磁波的反射,材料表面的导电率应较低,从而与空气形成良好的阻抗匹配,使电磁波能够顺利地入射到材料内部。同时,材料内部纳米填料能够与电磁波充分地相互作用,从而消耗电磁能。根据电磁屏蔽理论,电磁屏蔽材料可通过欧姆损耗、介电损耗、磁损耗将电磁能转换成热能耗散。为进一步增强屏蔽材料的吸收性能,可在其内部同时引入导电和导磁的材料,通过欧姆损耗和磁损耗的协同作用来
...【技术保护点】
1.一种电-磁双梯度薄膜,其特征在于,所述电-磁双梯度薄膜包括:
2.根据权利要求1所述的电-磁双梯度薄膜,其特征在于,
3.一种电-磁双梯度薄膜的制备方法,其特征在于,所述制备方法包括以下步骤:
4.根据权利要求3所述的制备方法,其特征在于,
5.根据权利要求3所述的制备方法,其特征在于,
6.根据权利要求3所述的制备方法,其特征在于,
7.根据权利要求3所述的制备方法,其特征在于,
8.根据权利要求3所述的制备方法,其特征在于,
9.根据权利要求3所述的制备方法,其特征
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【技术特征摘要】
1.一种电-磁双梯度薄膜,其特征在于,所述电-磁双梯度薄膜包括:
2.根据权利要求1所述的电-磁双梯度薄膜,其特征在于,
3.一种电-磁双梯度薄膜的制备方法,其特征在于,所述制备方法包括以下步骤:
4.根据权利要求3所述的制备方法,其特征在于,
5.根据权利要求3所述的制备方法,其特征在于,
6.根据权利...
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