【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及电力电子，具体而言，涉及一种电路确定方法、装置、非易失性存储介质和计算机设备。
技术介绍
1、碳化硅mosfet功率半导体芯片受加工工艺的限制使得芯片参数具有分散性，并联应用的芯片间存在动态和静态不均衡电流。静态不均衡电流可以通过导通电阻的正温度系数实现调节，而影响动态不均流的阈值电压具有负温度系数，承受动态电流越大的芯片温度越高，阈值电压进一步降低，最终发生热失效影响碳化硅mosfet多芯片并联的可靠性。为了抑制并联芯片的动态不均衡电流需要对并联芯片进行预筛选工作，相关技术中基于阈值电压一致或转移曲线距离系数最小进行芯片筛选，筛选后芯片参数具有一致性，如果电路布局是对称的满足电路参数一致可以实现并联均流。但是，常见的商业化模块中电路布局是不对称的，电路参数存在差异，无法通过这种方法进行电流均衡。
2、针对上述的问题，目前尚未提出有效的解决方案。
技术实现思路
1、本专利技术实施例提供了一种电路确定方法、装置、非易失性存储介质和计算机设备，以至少解决在芯片一侧并联...
【技术保护点】
1.一种电路确定方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述确定所述初始电路模型对应的电感矩阵，包括：
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述基于所述电感矩阵，对所述初始电路模型中的多条支路排序，得到支路顺序，包括：
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述获取多个芯片各自对应的芯片参数，包括：
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述基于所述多个芯片各自对应的芯片参数，对所述多个芯片排序，得到芯片顺序，包括：
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述多...
【技术特征摘要】
1.一种电路确定方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述确定所述初始电路模型对应的电感矩阵，包括：
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述基于所述电感矩阵，对所述初始电路模型中的多条支路排序，得到支路顺序，包括：
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述获取多个芯片各自对应的芯片参数，包括：
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述基于所述多个芯片各自对应的芯片参数，对所述多个芯片排序，得到芯片顺序，包括：
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述多个芯片中存在多个类型的情况下，所述基于所述多个芯片各自对应的芯片参数，对所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：蔡静，谷君，李亦非，赵斌，宫成，马浩，李天乐，于钊，杨亚奇，
申请(专利权)人：国网北京市电力公司，
类型：发明
国别省市：
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