基于高温共烧陶瓷的高深径比DPC基板的制备方法技术

本发明专利技术提供了一种基于高温共烧陶瓷的高深径比DPC基板的制备方法，属于电子封装技术领域，包括：在生瓷片上按预设位置进行激光打孔，形成通孔；在通孔内填满金属浆料；在生瓷片的背面利用真空吸盘将所述通孔内的金属浆料吸出，在通孔侧壁挂浆形成一层浆料覆膜；将形成浆料覆膜的生瓷片堆叠层压成型，放入高温烧结炉进行高温共烧形成熟瓷片，此时通孔侧壁的浆料覆膜形成金属种子层；利用抛光机将熟瓷片的正背两表面抛光处理；经贴合干膜、光刻显影，完成金属化线路层的制作；去除干膜，经干燥后，完成DPC基板的制作。采用本发明专利技术制备的高深径比填充的DPC基板，由于通孔侧壁上能够形成完整的金属种子层，大大提升了DPC基板工作的可靠性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于电子封装，具体涉及一种基于高温共烧陶瓷的高深径比dpc基板的制备方法。

技术介绍

1、随着半导体器件朝着小型化、集成化和大功率方向发展，对封装基板也提出了更高的性能要求。陶瓷基板(陶瓷电路板)具有热导率高、耐热性好、与芯片热膨胀系数匹配、机械强度高等优势，满足功率器件应用需求，在大功率发光二极管(led)、激光器(ld)、绝缘栅极晶体管(igbt)及聚光光伏(cpv)等器件封装中广泛应用。在各类陶瓷基板中，直接镀铜陶瓷基板(dpc)具有图形精度高、可垂直互连、工艺温度低、线路层厚度可控等技术优势，应用前景广阔。

2、dpc基板常用制备流程主要的步骤如下：

3、首先利用激光在陶瓷基板上制备通孔(孔径一般为60um～120um)；

4、利用超声波和一系列的化学试剂对陶瓷基板进行处理，清除陶瓷表面的熔渣和污染；

5、采用磁控溅射技术在陶瓷基板表面沉积金属种子层(ti/cu)，为后续的通孔填充和种子层制备做准备；

6、利用贴膜机在陶瓷基板的两个表面贴合阻焊干膜，接着通过光刻、显影完成线路层制本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种基于高温共烧陶瓷的高深径比DPC基板的制备方法，其特征在于，所述方法包括：

2.如权利要求1所述的基于高温共烧陶瓷的高深径比DPC基板的制备方法，其特征在于，所述金属浆料为钨钼浆料，所述钨钼浆料的熔点为2900℃-3200℃，所述高温共烧的烧结温度为1500℃-1800℃。

3.如权利要求1所述的基于高温共烧陶瓷的高深径比DPC基板的制备方法，其特征在于，所述通孔的深径比为10:1。

4.如权利要求1所述的基于高温共烧陶瓷的高深径比DPC基板的制备方法，其特征在于，在生瓷片的背面利用真空吸盘将所述通孔内的金属浆料吸出的过程包括：

5...

【技术特征摘要】

1.一种基于高温共烧陶瓷的高深径比dpc基板的制备方法，其特征在于，所述方法包括：

2.如权利要求1所述的基于高温共烧陶瓷的高深径比dpc基板的制备方法，其特征在于，所述金属浆料为钨钼浆料，所述钨钼浆料的熔点为2900℃-3200℃，所述高温共烧的烧结温度为1500℃-1800℃。

3.如权利要求1所述的基于高温共烧陶瓷的高深径比dpc基板的制备方法，其特征在于，所述通孔的深径比为10:1。

4.如权利要求1所述的基于高温共烧陶瓷的高深径比dpc基板的制备方法，其特征在于，在生瓷片的背面利用真空吸盘将所述通孔内的金属浆料吸出的过程包括：

5.如权利要求...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨鑫，张鹤，段强，杨振涛，刘林杰，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第十三研究所，
类型：发明
国别省市：