一种基于等离子体处理的湿度传感器及其制备方法技术

本发明专利技术涉及传感器技术领域，尤其涉及一种基于等离子体处理的湿度传感器及其制备方法，所述湿度传感器包括电极片，电极片包括依次设置的聚二甲基硅氧烷薄膜、激光诱导石墨烯层和氧化石墨烯层；在激光诱导石墨烯层的两个端点分别设有接触位点；两条导线分别连接两个接触位点；偏聚二氟乙烯膜贴附于电极片的顶层作为封装层。所述制备方法通过等离子体射流氧化处理聚二甲基硅氧烷‑激光诱导石墨烯‑氧化石墨烯层后，得到电极片。等离子体射流氧化处理使石墨烯表面富含大量的含氧官能团，使石墨烯具有优异的亲水性，吸附更多的水分子，其作为湿度传感器的敏感层性能更好、稳定性更强、灵敏度更高。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及传感器，尤其涉及一种基于等离子体处理的湿度传感器及其制备方法。

技术介绍

1、湿度传感器是一种测量环境湿度的电子设备，在工业、农业及环境检测等领域均具有重要的作用，组成湿度传感器的核心部分为敏感材料，敏感材料能够将湿度转化为其他可测试信号。现在，常用来作为湿敏材料的物质有半导体氧化物、高分子聚合物以及相关的复合材料，但是这类传感器普遍存在检测范围小、灵敏度低等问题。氧化石墨烯作为一种石墨烯的衍生物，具有较大的比表面积及丰富的含氧官能团，其含氧官能团可以与水分子通过氢键连接。因此，氧化石墨烯非常适合作为一种湿度传感器的敏感材料，然而，现有的氧化石墨烯湿度传感器的制备过程中大多使用化学方法，对环境污染大，且容易影响湿度传感器的载体的稳定性，湿度传感器的测量精度低。

技术实现思路

1、本专利技术旨在至少解决相关技术中存在的技术问题之一。为此，本专利技术的第一个目的在于提供一种基于等离子体处理的湿度传感器的制备方法；本专利技术的第二个目的在于提供一种基于等离子体处理的湿度传感器。p>

2、为了实本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种基于等离子体处理的湿度传感器的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

2.如权利要求1所述的一种基于等离子体处理的湿度传感器的制备方法，其特征在于，S300中聚二甲基硅氧烷溶液的质量浓度为20%～70%。

3.如权利要求1所述的一种基于等离子体处理的湿度传感器的制备方法，其特征在于，S300中聚二甲基硅氧烷溶液与固化剂的质量比为10:1～9:1。

4.如权利要求1所述的一种基于等离子体处理的湿度传感器的制备方法，其特征在于，S300中固化剂为四乙烯基四甲基硅烷或硅烷偶联剂。

5.如权利要求1所述的一种基于等离子体处理的湿度传感器的制备...

【技术特征摘要】

1.一种基于等离子体处理的湿度传感器的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

2.如权利要求1所述的一种基于等离子体处理的湿度传感器的制备方法，其特征在于，s300中聚二甲基硅氧烷溶液的质量浓度为20%～70%。

3.如权利要求1所述的一种基于等离子体处理的湿度传感器的制备方法，其特征在于，s300中聚二甲基硅氧烷溶液与固化剂的质量比为10:1～9:1。

4.如权利要求1所述的一种基于等离子体处理的湿度传感器的制备方法，其特征在于，s300中固化剂为四乙烯基四甲基硅烷或硅烷偶联剂。

5.如权利要求1所述的一种基于等离子体处理的湿度传感器的制备方法，其特征在于，s400中的干燥温度为80℃～100℃，干燥时间为90min～120min。

6.如权利要求1所述的一种基于等离子体处理的湿度传感器的制备...

【专利技术属性】
技术研发人员：夏文杰，何彬，吴锦昕，徐桂芝，
申请(专利权)人：河北工业大学，
类型：发明
国别省市：