铅捕获剂界面修饰制备反式钙钛矿太阳能电池的方法技术

铅捕获剂界面修饰制备反式钙钛矿太阳能电池的方法，将铅捕获剂沉积在钙钛矿光吸收层和其接触的界面材料之间；铅捕获剂为与Pb有强力的作用力的物质；包括以下步骤：（1）超声清洗并紫外臭氧处理ITO基底；（2）在ITO基底上刮涂铅捕获剂修饰的PTAA衬底制备空穴传输层；（3）刮涂制备FA<subgt;1‑X</subgt;Cs<subgt;X</subgt;PbI<subgt;3</subgt;钙钛矿光吸收层；（4）刮涂制备CF<subgt;3</subgt;‑PEAI异丙醇溶液作钝化层；（5）蒸镀富勒烯作电子传输层；（6）蒸镀BCP作缓冲层；（7）蒸镀Ag或Cu作电极。本发明专利技术采用与Pb具有强力选择性作用的铅捕获剂，在薄膜结晶生长过程中与挥发性路易斯碱竞争，从而改善钙钛矿薄膜的界面接触问题。本发明专利技术改善溶液法制备钙钛矿薄膜中普遍存在的埋底界面问题，提高钙钛矿太阳能电池的稳定性和光电转换效率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及钙钛矿太阳能电池制备领域，尤其是涉及铅捕获剂界面修饰制备反式钙钛矿太阳能电池的方法。

技术介绍

1、钙钛矿太阳能电池以其高光电转换效率、低成本、弱光性能好和可柔性制备等优点成为目前光伏领域的研究热点。大面积制备钙钛矿光吸收层的方法有气相法和溶液法，溶液法具备显著的效率优势和成本优势。但是氮气辅助结晶的刮涂法中钙钛矿的结晶方式为自上而下，下界面处的溶剂挥发时容易产生晶格收缩，尤其是易挥发的路易斯碱，从而导致下界面产生孔隙。溶液法制备钙钛矿薄膜中常用反溶剂、氮气气流等策略辅助结晶，使薄膜形成自上而下的结晶方式。下界面与pb配位的路易斯碱挥发导致晶格收缩而形成孔隙。这种孔隙普遍存在于各种体系、各种衬底的钙钛矿太阳能电池中，降低了钙钛矿太阳能电池的光电转换效率和稳定性，妨碍了钙钛矿太阳能电池的性能提升。

技术实现思路

1、本专利技术要解决的技术问题是，克服现有技术存在的缺陷，提供铅捕获剂界面修饰制备反式钙钛矿太阳能电池的方法，能减少钙钛矿薄膜结晶过程中产生的孔隙，提高钙钛矿太阳能电池的光电性能。

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【技术保护点】

1.铅捕获剂界面修饰制备反式钙钛矿太阳能电池的方法，其特征在于，将铅捕获剂沉积在钙钛矿光吸收层和其接触的界面材料之间；所述铅捕获剂为与Pb有强力的作用力的物质。

2.根据权利要求1所述的铅捕获剂界面修饰制备反式钙钛矿太阳能电池的方法，其特征在于，所述铅捕获剂为铅浮选捕获剂的至少一种，或者为治疗人体铅中毒的螯合剂的至少一种，或者为含酸官能团且含碘丰富的分子中的至少一种。

3.根据权利要求1或2所述的铅捕获剂界面修饰制备反式钙钛矿太阳能电池的方法，其特征在于，所述铅浮选捕获剂为以ROCSS-M+为特征结构式的黄药、或以(RO)2PSS-M+为特征结构式的黑药，或硫氮、...

【技术特征摘要】

1.铅捕获剂界面修饰制备反式钙钛矿太阳能电池的方法，其特征在于，将铅捕获剂沉积在钙钛矿光吸收层和其接触的界面材料之间；所述铅捕获剂为与pb有强力的作用力的物质。

2.根据权利要求1所述的铅捕获剂界面修饰制备反式钙钛矿太阳能电池的方法，其特征在于，所述铅捕获剂为铅浮选捕获剂的至少一种，或者为治疗人体铅中毒的螯合剂的至少一种，或者为含酸官能团且含碘丰富的分子中的至少一种。

3.根据权利要求1或2所述的铅捕获剂界面修饰制备反式钙钛矿太阳能电池的方法，其特征在于，所述铅浮选捕获剂为以rocss-m+为特征结构式的黄药、或以(ro)2pss-m+为特征结构式的黑药，或硫氮、硫氮酯、烷基双黄原酸酯、黄原酸酯、巯基苯并噻唑、烷基或芳基二硫代膦酸盐、烷基硫醇、二烷基二硫化物、巯醇、烷基三硫代碳酸盐、硫代均二苯脲、烷基或芳基一硫代磷酸烷基或芳基亚磷酸盐、n－烯丙基一硫代氨基甲酸盐；和/或所述治疗人体铅中毒的螯合剂为依地酸钙钠、二巯基丁二酸、二巯基丙醇、青霉胺、乙酸半胱氨酸、大蒜素、褪黑素、螯合剂浴铜灵中的至少一种；和/或所述含酸官能团并含碘丰富的分子为甲状腺激素、醋碘苯酸中的至少一种。

4.根据权利要求3所述的铅捕获剂界面修饰制备反式钙钛矿太阳能电池的方法，其特征在于，所述以rocss-m+为特征结构式的黄药为乙基黄药、异丙基黄药、丁基黄药、戊基黄药中的至少一种；和/或以(ro)2pss-m+为特征结构式的黑药为丁铵黑药、苯铵黑药、31号黑药、242号黑药、z-200、bk905、osn43中的至少一种。

5.根据权利要求1或2所述的铅捕获剂界面修饰制备反式钙钛矿太阳能电池的方法，其特征在于，在ito基底上刮涂铅捕获剂修饰的ptaa衬底，添加剂含量为ptaa质量的0～10w...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨英，张林，郭学益，
申请(专利权)人：中南大学，
类型：发明
国别省市：