【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于等离子体诊断，尤其涉及计算多种电子能量分布特征的等离子体参数的方法及系统。
技术介绍
1、本部分的陈述仅仅是提供了与本专利技术相关的
技术介绍
信息，不必然构成在先技术。
2、langmuir探针技术是最常用的等离子体诊断手段之一。通过分析langmuir探针的i-v特性曲线，可以得到等离子体电子密度、电子温度、空间电位以及电子能量分布函数等众多等离子体参数。其中，电子能量分布函数是一个尤为重要的参数，电子能量分布函数对于获取准确的等离子体电子温度具有重要的意义。
3、目前常见的实验室等离子体诊断，等离子体刻蚀技术等经典等离子体诊断都是根据经典的langmuir探针理论进行的，其中等离子体电子温度是基于电子能量是单麦克斯韦分布的假设进行计算，然而实际的实验室等离子体电子能量分布往往不是单一的麦氏分布，而是存在多种分布形式。因此基于经典的langmuir探针理论的计算方法会导致较大的误差。
4、此外，在对等离子体分析的过程中有时需要获得低能电子区与高能电子区对应的能量分布情况并分别获取两种分布...
【技术保护点】
1.计算多种电子能量分布特征的等离子体参数的方法，其特征是，包括：
2.如权利要求1所述的计算多种电子能量分布特征的等离子体参数的方法，其特征是，还包括：对电子能量分布函数进行单分布拟合，具体包括：
3.如权利要求1所述的计算多种电子能量分布特征的等离子体参数的方法，其特征是，还包括：对电子能量分布函数进行双分布拟合，包括：选择麦克斯韦分布拟合或Druyvesteyn分布任意组合方式进行拟合；
4.如权利要求1所述的计算多种电子能量分布特征的等离子体参数的方法，其特征是，对于双分布的电子能量，根据拟合出的两段函数，第一段分布函数对应...
【技术特征摘要】
1.计算多种电子能量分布特征的等离子体参数的方法，其特征是，包括：
2.如权利要求1所述的计算多种电子能量分布特征的等离子体参数的方法，其特征是，还包括：对电子能量分布函数进行单分布拟合，具体包括：
3.如权利要求1所述的计算多种电子能量分布特征的等离子体参数的方法，其特征是，还包括：对电子能量分布函数进行双分布拟合，包括：选择麦克斯韦分布拟合或druyvesteyn分布任意组合方式进行拟合；
4.如权利要求1所述的计算多种电子能量分布特征的等离子体参数的方法，其特征是，对于双分布的电子能量，根据拟合出的两段函数，第一段分布函数对应电子低能区，第二段分布函数对应电子高能区，分布计算电子能量与电子温度，即可得到高能电子及低能电子的密度与温度。
5.如权利要求1所述的计算多种电子能量分布特征的等离子体参数的方法，其特征是，“eepf”坐标轴、“eedf”坐标轴及“ee...
【专利技术属性】
技术研发人员：李延辉，钟雨晴，谢新尧，张清和，邢赞扬，王永辉，梁立凯，郭新，
申请(专利权)人：山东大学，
类型：发明
国别省市：
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