本发明专利技术公开了一种发光芯片、显示芯片及其制作方法。该发光芯片包括发光单元和至少一层电极层；发光单元包括层叠设置的第一类型半导体层、发光层和第二类型半导体层；发光单元在第一类型半导体层远离发光层的一侧具有第一表面，发光单元在第二类型半导体层远离发光层的一侧具有第二表面；电极层与第一类型半导体层连接，并延伸至第二表面，且与第二类型半导体层绝缘；和/或，电极层与第二类型半导体层连接，并延伸至第一表面，且与第一类型半导体层绝缘。本发明专利技术降低了发光芯片在巨量转移过程中的制程要求，降低了巨量转移的成本，同时有利于提高巨量转移的制程良率。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术实涉及显示，尤其涉及一种发光芯片、显示芯片及其制作方法。
技术介绍
1、发光二极管(light emitting diode，led)具有亮度高、电压低、功耗小、寿命长、耐冲击和性能稳定等优点，使其在显示领域的应用越来越广。micro-led，即微型发光二极管，是在传统led基础上将其尺寸进一步缩小至微米量级。micro-led显示技术是指以自发光的微米量级的led为发光像素单元，将其组装到显示基板上，用可独立发光的红、蓝、绿微型发光二极管成阵列排列形成高密度led阵列的显示技术。由于微型发光二极管芯片尺寸小、集成度高和自发光等特点，在显示方面与液晶显示器(liquid crystal display，lcd)、有机发光二极管(organic light-emitting diode，oled)相比在亮度、分辨率、对比度、能耗、使用寿命、响应速度和热稳定性等方面具有更大的优势。
2、现有技术中，在micro-led进行巨量转移时，对巨量转移的制程条件要求比较高，降低了巨量转移的制程良率，增加了巨量转移成本。
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【技术保护点】
1.一种发光芯片，其特征在于，包括发光单元和至少一层电极层；
2.根据权利要求1所述的发光芯片，其特征在于，还包括至少一层绝缘层；
3.根据权利要求2所述的发光芯片，其特征在于，所述电极层包括第一电极层，所述绝缘层包括第一绝缘层；
4.根据权利要求3所述的发光芯片，其特征在于，所述电极层还包括第二电极层，所述绝缘层还包括第二绝缘层；
5.根据权利要求4所述的发光芯片，其特征在于，在所述第一表面和/或所述第二表面上，所述第一电极层远离所述发光单元一侧的表面与所述第二电极层远离所述发光单元一侧的表面位于同一平面内。
<p>6.根据权利要求...
【技术特征摘要】
1.一种发光芯片，其特征在于，包括发光单元和至少一层电极层；
2.根据权利要求1所述的发光芯片，其特征在于，还包括至少一层绝缘层；
3.根据权利要求2所述的发光芯片，其特征在于，所述电极层包括第一电极层，所述绝缘层包括第一绝缘层；
4.根据权利要求3所述的发光芯片，其特征在于，所述电极层还包括第二电极层，所述绝缘层还包括第二绝缘层；
5.根据权利要求4所述的发光芯片，其特征在于，在所述第一表面和/或所述第二表面上，所述第一电极层远离所述发光单元一侧的表面与所述第二电极层远离所述发光单元一侧的表面位于同一平面内。
6.根据权利要求1所述的发光芯片，其特征在于，所述发光单元还包括至少一层导电层，所述导电层设置于所述第一类型半导体层远离所述发光层的一侧，和/或，所述导...
【专利技术属性】
技术研发人员：谢海忠，孔玮，李军帅，杨军，
申请(专利权)人：西湖烟山科技杭州有限公司，
类型：发明
国别省市：
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