【技术实现步骤摘要】
本公开实施例涉及半导体制造，尤其涉及晶圆承载结构以及等离子体刻蚀设备。
技术介绍
1、碳化硅(sic)由于其高热导率、高化学稳定性、高机械强度等优异的理化性质而在各种不同工业应用中得到广泛使用。例如，在半导体制造中，使用sic结构作为用于制造半导体的各种部件，比如，聚焦环、晶圆承载件等。
2、等离子体刻蚀(plasma etching)是一种干法刻蚀技术，它利用在特定气体中激发的等离子体来实现工件表面的精确去除。在这一过程中，等离子体刻蚀腔室内的特定气体在较高压力和射频功率的作用下生成包含高能粒子的等离子体，这些高能粒子能够与工件表面层的原子或分子发生化学反应并且生成气态产物，从而实现对工件表面的刻蚀。
3、在晶圆的等离子体刻蚀过程中，sic材料的承载件用于承载晶圆的边缘，进而确保晶圆的等离子体刻蚀过程的顺利进行。然而，由于sic材料具有高的热导率，因此在等离子体刻蚀过程中当等离子体刻蚀腔室内的温度上升时，经由承载件传递至晶圆的边缘的热量会在传递至承载件时发生热量的迅速散失。这种热量的损失导致晶圆的边缘所接收的热...
【技术保护点】
1.一种晶圆承载结构，其特征在于，所述晶圆承载结构包括：
2.根据权利要求1所述的晶圆承载结构，其特征在于，所述承载部由SiC制成。
3.根据权利要求2所述的晶圆承载结构，其特征在于，所述导热部由SiO2、Si或者玻璃纤维制成。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的晶圆承载结构，其特征在于，所述导热部设置成当承载所述晶圆时，所述导热部在所述晶圆的径向方向上超出所述晶圆，使得所述晶圆不与所述承载部接触。
5.根据权利要求4所述晶圆承载结构，其特征在于，所述导热部呈环状以能够与所述晶圆的整个周向边缘接触。
6.根...
【技术特征摘要】
1.一种晶圆承载结构，其特征在于，所述晶圆承载结构包括：
2.根据权利要求1所述的晶圆承载结构，其特征在于，所述承载部由sic制成。
3.根据权利要求2所述的晶圆承载结构，其特征在于，所述导热部由sio2、si或者玻璃纤维制成。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的晶圆承载结构，其特征在于，所述导热部设置成当承载所述晶圆时，所述导热部在所述晶圆的径向方向上超出所述晶圆，使得所述晶圆不与所述承载部接触。
5.根据权利要求4所述晶圆承载结构，其特征在于，所述导热部呈环状以能够与所述晶圆的整个周向边缘接触。
6.根据权利要求4所述的晶圆承载结构，其特征在于，所述导热部以机械连接方式连接至所述承载部。
7.根据权利要求6所述的晶圆承载结构，其特征在于，所述导热部和所述承载部中的一者设置有凸部，并且另一者设置有凹部，所述导热部通过所述凸部与所述凹部的配合连接至所述承载部。
...
【专利技术属性】
技术研发人员：请求不公布姓名，
申请(专利权)人：重庆欣晖材料技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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