贯穿玻璃的通孔的铜金属化方法和由此制造的玻璃制品技术

本申请涉及贯穿玻璃的通孔的铜金属化方法和由此制造的玻璃制品。玻璃中的贯穿玻璃的通孔的金属化方法包括清洁以及用硅烷改性玻璃基材的表面。玻璃基材具有厚度t并且包括延伸穿过厚度t的多个通孔。方法还包括：施涂包含铜离子的无电镀覆溶液从而在玻璃的表面上和多个通孔的侧壁上沉积铜晶种层；在多个通孔内布置电解质；将电极放置在电解质中以及在电极与玻璃基材之间以电势控制模式施加第一直流电流持续第一时间段，从而将铜离子还原成铜以形成附连在侧壁上和位于所述多个通孔中的每一个的中心部分处的桥状物；在电极与玻璃基材之间以电流控制模式施加第二直流电流持续第二时间段来填充通孔，从而使得所述多个通孔中的每一个填充了铜。

【技术实现步骤摘要】

本说明书大体上涉及贯穿玻璃的通孔的制造，更具体来说，涉及贯穿玻璃的通孔的铜金属化。

技术介绍

1、贯穿基材的通孔提供了物理电子线路或芯片中的层之间的电连接。例如，在三维堆叠集成电路中，贯穿基材的通孔实现了垂直和水平这两个方向上的电子组件的集成。通常来说，贯穿基材的通孔用于有机和硅基材中。然而，由于玻璃没有硅那么昂贵，电子装置中玻璃基材正变得更为主流。玻璃基材还可以提供改良的电磁损耗性质、改良的介电性质、可调节的热膨胀系数以及具有可规模化形式因子(包括辊-辊形式)的能力。由于所有上文所提及的优势以及对于导致高纵横比的更小的通孔直径的需求，在此类应用中实现通孔的cu金属化是至关重要的。

2、用于对通孔进行金属化的常规工艺包括干法工艺和湿法工艺。在处于真空的环境中进行干法工艺(例如，物理气相沉积(pvd)和化学气相沉积(cvd))，这限制了产出并且增加了制造成本。此外，此类干法工艺可能受限于它们的能力从而是在纵横比大于5的玻璃基材的通孔中产生连续金属层，其中，纵横比是玻璃基材的厚度与通孔的平均直径之比，特别是对于小的通孔直径的情况而言(例如，小于50本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种对玻璃基材中的贯穿玻璃的通孔进行金属化的方法，该方法包括：

2.如权利要求1所述的方法，其还包括在玻璃基材的表面上施涂粘合层。

3.如权利要求1所述的方法，其还包括在对玻璃基材的表面进行改性之前，对玻璃基材进行退火。

4.如权利要求1所述的方法，其中，玻璃基材的厚度t大于或等于50μm且小于或等于1200μm。

5.如权利要求1所述的方法，其中，玻璃基材的厚度t大于或等于200μm且小于或等于400μm。

6.如权利要求1所述的方法，其中，所述多个通孔具有大于或等于8μm且小于或等于30μm的平均直径。

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【技术特征摘要】

1.一种对玻璃基材中的贯穿玻璃的通孔进行金属化的方法，该方法包括：

2.如权利要求1所述的方法，其还包括在玻璃基材的表面上施涂粘合层。

3.如权利要求1所述的方法，其还包括在对玻璃基材的表面进行改性之前，对玻璃基材进行退火。

4.如权利要求1所述的方法，其中，玻璃基材的厚度t大于或等于50μm且小于或等于1200μm。

5.如权利要求1所述的方法，其中，玻璃基材的厚度t大于或等于200μm且小于或等于400μm。

6.如权利要求1所述的方法，其中，所述多个通孔具有大于或等于8μm且小于或等于30μm的平均直径。

7.如权利要求1所述的方法，其中，第一电解质包含第一添加剂。

8.如权利要求7所述的方法，其中，第一添加剂包含抑制剂。

9.如权利要求8所述的方法，其中，第一添加剂还包含流平剂。

10.如权利要求1所述的方法，其中，第二电解质包括由抑制剂、加速剂和流平剂构成的第二添加剂。

11.如权利要求8所述的方法，其中，在第一电解质中存在的抑制剂的浓度是大于或等于100ppm且小于或等于500ppm。

12.如权利要求8所述的方法，其中，抑制剂是包含

13.如权利要求8所述的方法，其中，抑制剂选自聚乙二醇以及聚丙二醇和聚乙二醇的共聚物。

14.如权利要求12所述的方法，其中，抑制剂是乙二胺四(乙氧基化物-嵌段-丙氧基化物)四醇。

15.如权利要求9所述的方法，其中，流平剂是硝基四氮唑鎓蓝氯化物。

16.如权利要求10所述的方法，其中，加速剂选自以下至少一种：双(磺丙基钠)-二硫化物和3-巯基-1-丙磺酸。

17.如权利要求1所述的方法，其中，第一电解质和第二电解质还包含卤化物离子。

18.如权利要求17所述的方法，其中，存...

【专利技术属性】
技术研发人员：张佑祥，M·卡努勾，P·马祖德，S·C·波拉德，曾佩琏，
申请(专利权)人：财团法人工业技术研究院，
类型：发明
国别省市：