一种硅异质结太阳能电池制造技术

本技术公开了一种硅异质结太阳能电池，包括第一面和第二面的硅板，所述硅板的第一面依次层叠有第一非晶硅层、第一ITO层、第一金属种子层、第一栅线层；所述硅板的第二面依次层叠有第二非晶硅层、第二ITO层、第二金属种子层、第二栅线层；所述第一栅线层和所述第二栅线层均包括至少一条主栅和至少一条副栅，任意一所述主栅与任意一所述副栅相互垂直，所述主栅和所述副栅的表面设置有一层抗氧化金属层；电镀铜替代丝网印刷银降低栅线金属化成本，铜栅线宽度可以做到银栅的40%，提升了受光面积，同时铜栅电阻率只有银栅的30%，大大的提高了电池效率。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及硅异质结太阳电池，尤其是涉及一种硅异质结太阳能电池。

技术介绍

1、硅异质结电池获得高效率的一个重要原因是本征非晶硅薄膜对晶硅衬底表面的优异钝化作用保证了电池的高开路电压；本征非晶硅薄膜对晶硅表面的钝化效果与薄膜沉积工艺密切相关，通过薄膜沉积工艺的优化以减少载流子在非晶硅/晶硅界面处的复合，提升界面钝化能力，从而提高电池开路电压；但是异质结太阳电池由于正背面使用低温银浆而导致成本一直居高不下，难以进一步大规模量产。

2、因此，如何设计出一种可以解决上述技术问题的单晶硅异质结太阳能电池成为了亟待解决的技术问题。

技术实现思路

1、本技术旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此，本技术提出了一种硅异质结太阳能电池。

2、根据本技术第一方面实施例的一种硅异质结太阳能电池，第一面和第二面的硅板，所述硅板的第一面依次层叠有第一非晶硅层、第一ito层、第一金属种子层、第一栅线层；

3、所述硅板的第二面依次层叠有第二非晶硅层、第二ito层、第二金属种子层、第二栅线层；...

【技术保护点】

1.一种硅异质结太阳能电池，其特征在于，包括第一面和第二面的硅板（3），所述硅板（3）的第一面依次层叠有第一非晶硅层（11）、第一ITO层（12）、第一金属种子层（13）、第一栅线层（14）；

2.根据权利要求1所述的一种硅异质结太阳能电池，其特征在于，所述第一ITO层（12）和所述第二ITO层（22）的厚度均为40nm-200nm，所述第一金属种子层（13）和所述第二金属种子层（23）均包括铜、镍、银、金、钛、铝导电金属。

3.根据权利要求2所述的一种硅异质结太阳能电池，其特征在于，所述第一金属种子层（13）和所述第二金属种子层（23）的厚度均为30nm-100...

【技术特征摘要】

1.一种硅异质结太阳能电池，其特征在于，包括第一面和第二面的硅板（3），所述硅板（3）的第一面依次层叠有第一非晶硅层（11）、第一ito层（12）、第一金属种子层（13）、第一栅线层（14）；

2.根据权利要求1所述的一种硅异质结太阳能电池，其特征在于，所述第一ito层（12）和所述第二ito层（22）的厚度均为40nm-200nm，所述第一金属种子层（13）和所述第二金属种子层（23）均包括铜、镍、银、金、钛、铝导电金属。

3.根据权利要求2所述的一种硅异质结...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘刚，王伟，田宏波，李世岚，宿世超，邹思云，
申请(专利权)人：国电投新能源科技有限公司，
类型：新型
国别省市：