多层电子组件制造技术

本公开提供一种多层电子组件。所述多层电子组件包括：主体，包括包含Ba和Ti的介电层以及与所述介电层交替设置的内电极；以及外电极，设置在所述主体上，其中，所述介电层还包括Li和F，并且其中，基于所述介电层中包含的100摩尔Ba，所述介电层中包含的Li含量大于等于0.02摩尔且小于等于0.36摩尔。

【技术实现步骤摘要】

本公开涉及一种多层电子组件。

技术介绍

1、多层陶瓷电容器(mlcc，一种多层电子组件)可以是安装在各种电子产品(显示装置(诸如液晶显示器(lcd)和等离子显示面板(pdp)、计算机、智能电话))的印刷电路板上，用于充电或放电的片式电容器。

2、当形成厚度减小的介电层以使多层电子组件小型化并实现高电容时，可能需要稳定的电容和高可靠性。特别地，当介电层形成为具有减小的厚度时，可有效地减小介电层和内电极之间的烧制温度的差异，以减小与内电极的收缩行为的差异。

3、通常，由于包含在内电极中的导电金属的烧制温度低于包含在介电层中的陶瓷的烧制温度，因此在烧制多层电子组件的工艺中可能在内电极中发生结块，因此，在多层电子组件中可能发生短路。此外，内电极和介电层的收缩行为的差异可能在多层电子组件中产生应力，因此，多层电子组件的可靠性可能劣化。

4、因此，可能需要开发一种在相对低的温度下同时烧制内电极和介电层并减小内电极和介电层之间的收缩行为差异的方法。

技术实现思路

1、本公开的示例实施例在本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种多层电子组件，包括：

2.根据权利要求1所述的多层电子组件，其中，基于所述介电层中包含的100摩尔Ba，所述介电层中包含的F含量大于等于0.49摩尔且小于等于0.88摩尔。

3.根据权利要求1所述的多层电子组件，

4.根据权利要求1所述的多层电子组件，其中，当所述介电层的不包括孔的区域的面积与所述介电层的包括孔的区域的面积的比定义为所述介电层的致密程度时，所述介电层的平均致密程度大于等于95％且小于等于99％。

5.根据权利要求1所述的多层电子组件，其中，所述内电极包括Ni。

6.根据权利要求1所述的多层电子组件，其中，...

【技术特征摘要】

1.一种多层电子组件，包括：

2.根据权利要求1所述的多层电子组件，其中，基于所述介电层中包含的100摩尔ba，所述介电层中包含的f含量大于等于0.49摩尔且小于等于0.88摩尔。

3.根据权利要求1所述的多层电子组件，

4.根据权利要求1所述的多层电子组件，其中，当所述介电层的不包括孔的区域的面积与所述介电层的包括孔的区域的面积的比定义为所述介电层的致密程度时，所述介电层的平均致密程度大于等于95％且小于等于99％。

5.根据权利要求1所述的多层电子组件，其中，所述内电极包括ni。

6.根据权利要求1所述的多层电子组件，其中，所述介电层的平均厚度小于等于0.35μm。

7.根据权利要求1所述的多层电子组件，其中，所述内电极的平均厚度小于等于0.35μm。

8.一种制造多层电子组件的方法，所述方法包括：

9.根据权利要求8所述的方法，其中，基于所述介电层中包含的...

【专利技术属性】
技术研发人员：申承浩，金知姸，朴时泽，李相奎，
申请(专利权)人：三星电机株式会社，
类型：发明
国别省市：