【技术实现步骤摘要】
实施方案涉及空白掩模(blank mask)和制造该空白掩模的方法。
技术介绍
1、由于半导体设备等的高集成化，需要对半导体设备的电路图案的精细化。因此，使用光掩模在晶圆的表面上显影电路图案的技术的光刻技术的重要性引起越来越多的关注。
2、为了显影精细化的电路图案，需要在曝光工艺中使用较短波长的曝光光源。作为近来使用的曝光光源的示例有arf准分子激光器(波长：193nm)等。
3、同时，光掩模包括二元掩模(binary mask)和相移掩模(phase shift mask)等。
4、二元掩模包括在透光基板上形成的遮光层图案。在二元掩模形成有图案的表面上，不包括遮光层的透光部使曝光光透射，而包括遮光层的遮光部阻挡曝光光，从而在晶圆表面的抗蚀剂膜上曝光图案。同时，随着二元掩模的图案变得更精细，由于在曝光工艺期间在透光部的边缘处发生光的衍射，因此精细图案现象可能会出现问题。
5、作为相移掩模的示例，存在利文森型(levenson-type)掩模、外架型(outrigger-type)掩模和半色...
【技术保护点】
1.一种制造空白掩模的方法，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，所述方法还包括将所述光学基板放置在卡盘上，
3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述卡盘包括：
4.根据权利要求1所述的方法，所述方法还包括将所述光学基板放置在卡盘上，
5.根据权利要求4所述的方法，其中，所述卡盘包括：
6.根据权利要求1所述的方法，其中，在所述透光基板的下表面上形成的所述液滴型吸附的所述数量小于4个/cm2。
7.一种空白掩模，所述空白掩模包括：
8.根据权利要求7所述的空白掩模，其中，在所述...
【技术特征摘要】
1.一种制造空白掩模的方法，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，所述方法还包括将所述光学基板放置在卡盘上，
3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述卡盘包括：
4.根据权利要求1所述的方法，所述方法还包括将所述光学基板放置在卡盘上，
5.根据权利要求4所述的方法，其中，所述卡盘包括：
6.根据权利要求1所述的方法，其中，在所述透光基板的下表面上形成的所述液滴型吸附的所述数量小于4个/cm2。
7.一种空白掩模，所述空白掩模包括：
8.根据权利要求7所述的空白掩模，其中，...
【专利技术属性】
技术研发人员：金泰完，申仁均，李亨株，
申请(专利权)人：SK恩普士有限公司，
类型：发明
国别省市：
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