基于四苯基锡的单分子树脂光刻胶及其制备方法和应用技术

本发明专利技术提供式(I)所示基于四苯基锡的多硫鎓盐单分子树脂光刻胶及其制备方法和应用。所述化合物可作为单组分非化学放大型光刻胶，避免了化学放大光刻胶中产酸剂以及防酸扩散剂分布不均匀、酸扩散不均匀等问题，所得到的图案具有高的分辨率和低的线边缘粗糙度。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于材料，具体涉及一类基于四苯基锡的单分子树脂光刻胶及其制备方法和应用。

技术介绍

1、随着半导体工业的迅速发展，半导体器件的集成度越来越高，对光刻技术要求达到的分辨率也越来越高，对高分辨光刻图形的质量也提出了更高的要求。对于光刻的分辨率来说，与光刻设备和光刻胶密切相关。光刻胶的各项性能会最终影响到实际光刻图案的质量，发展新型高性能的光刻胶是非常重要的。在过去几十年间，光刻技术从最初的g线、i线光刻、krf和arf光刻，到目前最先进的极紫外光刻。光刻的分辨率也从最初的微米级别，发展至目前的几个纳米。

2、光刻胶根据其在曝光过程中产生的变化可将其分为化学放大型光刻胶(cars)和非化学放大型光刻胶(n-cars)。传统的化学放大型光刻胶由于其高灵敏度，在过去几十年间被广泛使用。其通常由酸敏感的主体材料、产酸剂、防酸扩散剂等构成。由于其多分散的特点以及存在化学放大的过程，导致其存在一系列问题，如高的线边缘粗糙度(ler)和线宽粗糙度(lwr)、曝光后不稳定性和分辨率难以提高至20nm以下等。为了解决这些问题，新型非化学放大型光刻胶(n-c本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.式(I)所示的化合物：

2.根据权利要求1所述的化合物，其特征在于，R1，R2，R3，R4，R5相同或不同，各自独立地选自-S+RS1RS2或基团Z，所述基团Z为H、C1-6烷基、C1-6烷氧基、C3-12环烷基或C6-12芳基。

3.根据权利要求2所述的化合物，其特征在于，-S+RS1RS2选自-S+(C1-6烷基)2、-S+(C6-12芳基)2、-S+(-C1-6烷基-C6-12芳基)(C1-6烷基)；所述C6-12芳基任选被CN，C1-6烷基所取代。

4.根据权利要求3所述的化合物，其特征在于，-S+RS1RS2选自如下基团

5....

【技术特征摘要】

1.式(i)所示的化合物：

2.根据权利要求1所述的化合物，其特征在于，r1，r2，r3，r4，r5相同或不同，各自独立地选自-s+rs1rs2或基团z，所述基团z为h、c1-6烷基、c1-6烷氧基、c3-12环烷基或c6-12芳基。

3.根据权利要求2所述的化合物，其特征在于，-s+rs1rs2选自-s+(c1-6烷基)2、-s+(c6-12芳基)2、-s+(-c1-6烷基-c6-12芳基)(c1-6烷基)；所述c6-12芳基任选被cn，c1-6烷基所取代。

4.根据权利要求3所述的化合物，其特征在于，-s+...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈金平，王志昊，李嫕，曾毅，于天君，
申请(专利权)人：中国科学院理化技术研究所，
类型：发明
国别省市：