一种双层全频带太赫兹混频器制造技术

本发明专利技术属于太赫兹通信技术领域，涉及全频段肖特基二极管混频器，具体提供一种双层全频带太赫兹混频器，用以解决现有技术中变频损耗较高、变频效率较低、功率容量较小等问题。本发明专利技术创造性的提出双层混频链路的设计思想；首先对单层混频链路进行改进，用以匹配双层混频链路设计，保证双层混频链路的输出沿水平方向反向设置；在此基础上，设计双层混频链路的垂直间距为λ/8，促使双层混频链路实现耦合互补，从而减少传输损耗、提升变频效率，进而保证双层混频链路同时满足全频带工作要求，两个输出端口同时输出相同频率的混频信号，变频损耗甚至能够达到窄带高效混频器的性能水平；并且，双层混频链路的设计也能够提升混频器的功率容量。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于太赫兹通信，设计全频段肖特基二极管混频器，具体提供一种双层全频带太赫兹混频器。

技术介绍

1、太赫兹(terahertz wave,thz)波亦被称为太赫兹射线，是一种介于光子学与电子学之间的新型电磁波谱，该频带包含了频率从0.1thz到10thz的电磁波，其对应的波长范围为0.03mm到3mm，太赫兹波在频率上高于微波、低于红外线，能量大小则在电子和光子之间。太赫兹波拥有带宽高、携带信息丰富、高时空相干性、定向性好等特性，有着非常广泛的应用和研究价值；但由于太赫兹波频率较高，为了得到稳定可靠的信号源，常常需要利用混频实现太赫兹波信号频率的变化，该过程通常由混频器实现。传统的全频带(太赫兹波段中空气窗口所覆盖的几个分立的频带之一)肖特基二极管混频器中，一般应用单层混频链路，根据应用频率段对单层混频链路进行设计，然而，该结构会导致全频带肖特基二极管混频器的变频损耗较高，且变频效率低、功率容量较小，不利于对信号的处理。

技术实现思路

1、本专利技术的目的在于提供一种双层双频段全频带太赫兹混频器，用以本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种双层全频带太赫兹混频器，包括：第一输入波导(10)、第二输入波导(20)、混频电路(30)与中频输出电路(40)；其特征在于，混频电路由上层混频支路与下层混频支路构成，中频输出电路由上层中频输出支路与下层中频输出支路构成，上层混频支路与上层中频输出支路沿同一水平面设置、且共同构成上层混频链路，下层混频支路与下层中频输出支路沿同一水平面设置、且共同构成下层混频链路；上层混频链路与下层混频链路平行设置，上层混频支路与下层混频支路沿竖直方向正对设置、且垂直间距设置为λ/8，λ为中心频点处工作波长，上层中频输出支路与下层中频输出支路沿水平方向反向设置；射频信号经第一输入波导同时馈入上层混...

【技术特征摘要】

1.一种双层全频带太赫兹混频器，包括：第一输入波导(10)、第二输入波导(20)、混频电路(30)与中频输出电路(40)；其特征在于，混频电路由上层混频支路与下层混频支路构成，中频输出电路由上层中频输出支路与下层中频输出支路构成，上层混频支路与上层中频输出支路沿同一水平面设置、且共同构成上层混频链路，下层混频支路与下层中频输出支路沿同一水平面设置、且共同构成下层混频链路；上层混频链路与下层混频链路平行设置，上层混频支路与下层混频支路沿竖直方向正对设置、且垂直间距设置为λ/8，λ为中心频点处工作波长，上层中频输出支路与下层中频输出支路沿水平方向反向设置；射频信号经第一输入波导同时馈入上层混频链路与下层混频链路，本振信号经第二输入波导同时馈入上层混频链路与下层混频链路，上层混频链路与下层混频链路分别输出相同频率的混频信号。

2.根据权利要求1所述双层全频带太赫兹混频器，其特征在于，上层混频支路与下层混频支路分别包括：第一波导探针过渡结构(310)、二极管结构(330)、第一低通滤波器结构(340)与第二波导探针过渡结构(350)，四者通过微带匹配电路依次连接，且第一波导探针过渡结构与二极管结构之间引入接地端(320)；上层中频输出支路与下层中频输...

【专利技术属性】
技术研发人员：高歌，周泓机，周俊，周天驰，张雅鑫，杨梓强，
申请(专利权)人：电子科技大学，
类型：发明
国别省市：