本申请提供了一种射频前端模组和电子装置，包括：基板；第一芯片，设置在所述基板上，所述第一芯片包括低阻衬底以及设置在低阻衬底上的低噪声放大晶体管；设置在所述第一芯片之外的匹配单元，所述匹配单元的第一端被配置为接收输入信号，所述匹配单元的第二端连接至所述低噪声放大晶体管的输入端。通过将匹配单元设置在第一芯片之外，从而是的匹配单元以及对应的连接线路都可以距离第一芯片的低阻衬底更远，从而使得形成的寄生更小，降低了整体的噪声。
【技术实现步骤摘要】
本申请涉及射频，尤其涉及一种射频前端模组和电子设备。
技术介绍
1、随着无线通信技术的不断发展，特别是第五代移动通信技术(5th generationmobi le communication technology，简称5g)的不断发展和应用的前提下，对于支撑该技术中的各类芯片的小型化的要求越来越高。示例性地，在射频前端模组中，低噪声放大器(low noise amplifier，lna)作为通信系统接收前端的重要器件，对系统的噪声性能和接收灵敏度起决定性的作用。低噪声放大器为噪声系数较低的放大器，一般用作各类无线电接收机的高频或中频前置放大器，以及高灵敏度电子探测设备的放大电路等。在放大天线接收到的小信号同时，还要尽可能少地引入噪声。然而，对于模组小型化要求越来越高的场景下，如何减少低噪声放大器噪声的引入，成为了一个亟待解决的问题。
技术实现思路
1、本申请的目的是：提供一种射频前端模组，能够减少整体噪声的影响。
2、本申请第一方面，提供了一种射频前端模组，包括：
>3、基板；本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种射频前端模组，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的射频前端模组，其特征在于，还包括：
3.根据权利要求1所述的射频前端模组，其特征在于，所述匹配单元设置在所述基板上。
4.根据权利要求1所述的射频前端模组，其特征在于，所述匹配单元包括第一电容，所述第一电容的第一端被配置为接收输入信号，所述第一电容的第二端连接至所述低噪声放大晶体管的输入端。
5.根据权利要求1所述的射频前端模组，其特征在于，还包括：
6.根据权利要求5所述的射频前端模组，其特征在于，所述布线结构包括依序设置的第一介质层、第一金属层和第二介质层，所...
【技术特征摘要】
1.一种射频前端模组，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的射频前端模组，其特征在于，还包括：
3.根据权利要求1所述的射频前端模组，其特征在于，所述匹配单元设置在所述基板上。
4.根据权利要求1所述的射频前端模组，其特征在于，所述匹配单元包括第一电容，所述第一电容的第一端被配置为接收输入信号，所述第一电容的第二端连接至所述低噪声放大晶体管的输入端。
5.根据权利要求1所述的射频前端模组，其特征在于，还包括：
6.根据权利要求5所述的射频前端模组，其特征在于，所述布线结构包括依序设置的第一介质层、第一金属层和第二介质层，所述第一导电凸块设置在所述第二介质层之上。
...
【专利技术属性】
技术研发人员：李镁钰，吴昊，欧阳静云，宋楠，奉靖皓，倪建兴，
申请(专利权)人：锐石创芯深圳科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：
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