【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
各种特征涉及封装件、集成器件和/或集成无源器件。
技术介绍
1、封装件可包括基板、集成器件和集成无源器件。该基板可包括多个互连件。该集成器件和/或该集成无源器件可耦合到该基板的互连件。一直存在提供具有提高的性能的更小封装件的需求。
技术实现思路
1、各种特征涉及封装件、集成器件和/或集成无源器件。
2、一个示例提供了一种集成器件，该集成器件包括：管芯基板，该管芯基板包括多个晶体管；互连部分，该互连部分耦合到该管芯基板；和封装部分，该封装部分耦合到该互连部分。该互连部分包括至少一个管芯电介质层和多个管芯互连件，该多个管芯互连件耦合到该多个晶体管。该封装部分包括至少一个磁性层和多个金属化互连件，该多个金属化互连件耦合到该多个管芯互连件。
3、另一示例提供了一种器件，该器件包括：管芯基板；互连部分，该互连部分耦合到该管芯基板；和封装部分，该封装部分耦合到该互连部分。该互连部分包括至少一个管芯电介质层和多个管芯互连件。该封装部分包括至少一个磁性层和多个金属化互连件，该多个金...
【技术保护点】
1.一种集成器件，所述集成器件包括：
2.根据权利要求1所述的集成器件，其中所述至少一个磁性层包括绝缘层和/或电介质层。
3.根据权利要求1所述的集成器件，其中所述至少一个磁性层包括非导电材料。
4.根据权利要求1所述的集成器件，其中所述至少一个磁性层的相对磁导率值大于1。
5.根据权利要求1所述的集成器件，其中所述至少一个磁性层的磁损耗正切值在0.01至0.04范围内。
6.根据权利要求1所述的集成器件，其中所述至少一个磁性层包括：
7.根据权利要求1所述的集成器件，其中所述互连部分包括电容器，...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种集成器件，所述集成器件包括：
2.根据权利要求1所述的集成器件，其中所述至少一个磁性层包括绝缘层和/或电介质层。
3.根据权利要求1所述的集成器件，其中所述至少一个磁性层包括非导电材料。
4.根据权利要求1所述的集成器件，其中所述至少一个磁性层的相对磁导率值大于1。
5.根据权利要求1所述的集成器件，其中所述至少一个磁性层的磁损耗正切值在0.01至0.04范围内。
6.根据权利要求1所述的集成器件，其中所述至少一个磁性层包括：
7.根据权利要求1所述的集成器件，其中所述互连部分包括电容器，所述电容器由所述多个管芯互连件中的至少一些管芯互连件限定。
8.根据权利要求7所述的集成器件，其中所述封装部分包括电感器，所述电感器由所述多个金属化互连件中的至少一个金属化互连件限定。
9.根据权利要求1所述的集成器件，
10.根据权利要求1所述的集成器件，其中所述集成器件是被配置为作为功率管理集成电路(pmic)操作的管芯。
11.一种器件，所述器件包括：
【专利技术属性】
技术研发人员：K·刘，JH·兰，金钟海，
申请(专利权)人：高通股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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