【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于ⅲ族氧化物薄膜和器件制造，涉及氧化镓外延层的制备方法，具体为一种利用液态镓基金属制备氧化镓外延层的方法。
技术介绍
1、第四代半导体氧化镓(ga2o3)是一种极为重要的宽带隙半导体材料，其在光电子器件和光电子集成电路等领域具有广泛的应用前景，包括光伏电池、光学传感器、气体传感器、液晶显示器、光电子集成电路、太阳能电池板、光通信等；然而，传统的氧化镓薄膜制备方法往往面临着一系列挑战，目前，研究者们多采用金属有机物化学气相沉积(mocvd)方法，以三甲基镓tmga或三乙基镓tega为镓源，以氧气等为氧源，在550～850℃的温度下制备氧化镓薄膜，其缺点是制备温度偏高，不能使用不耐高温的衬底，且所制备的氧化镓薄膜中碳杂质含量高，导致氧化镓薄膜的迁移率偏低，影响器件的使用；虽然也有研究者采用衬底上先涂覆液态镓金属膜再高温氧化来制备氧化镓薄膜，但氧化镓薄膜的厚度难以精确控制，且上述方法对制备稳定的p型氧化镓薄膜都比较困难，这些问题制约了氧化镓薄膜的晶体质量和器件的性能。
技术实现思路
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【技术保护点】
1.一种利用液态镓基金属制备氧化镓外延层的方法，其特征在于，采用ECR-PEMOCVD设备进行制备，包括以下步骤：
【技术特征摘要】
1.一种利用液态镓基金属制备氧化镓外延层的方法，其特征在于...
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