【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体器件，尤其涉及一种具备超低接触电阻的硅基半导体场效应晶体管及其制备方法。
技术介绍
1、在半导体产业的发展历程中，集成电路产业遵循着“摩尔定律”的预言飞速发展。由于硅基互补型金属氧化物半导体（complementary mental oxide semiconductor,cmos）具有响应速度快、产业成熟、成本低等优点，硅基cmos技术是现在集成电路工艺的主流技术。但随着科技的发展，对半导体器件集成度的要求越来越高，半导体器件的尺寸变得越来越小，传统的硅基cmos的加工面临着技术及物理极限上的挑战。单纯地通过缩短mosfet的沟道长度，已经难以提高传统集成电路的集成度和半导体器件的性能。此外，漏致势垒降低效应、穿通效应等各种短沟道效应对器件性能的影响也越来越严重。
2、并且随着半导体器件的广泛运用，人们对器件性能也提出了更高的要求。影响半导体器件性能的因素有很多，其中电阻是一个很重要的因素，半导体器件的总电阻是由半导体材料的体电阻和半导体器件源漏电极的接触电阻两部分组成。随着器件尺寸的不断缩小，半导体器...
【技术保护点】
1.一种具备超低接触电阻的硅基半导体场效应晶体管制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：
2.根据权利要求1所述的具备超低接触电阻的硅基半导体场效应晶体管制备方法，其特征在于，所述制备方法还包括脉冲激光熔融步骤，该脉冲激光熔融步骤在完成所述衬底的离子注入后，使用脉冲激光器对衬底进行熔融处理。
3.根据权利要求1所述的具备超低接触电阻的硅基半导体场效应晶体管制备方法，其特征在于，所述S100中的离子注入采用硫族元素超掺杂方式，制备出具有10^21 cm^-3电子密度的超掺杂硅层。
4.根据权利要求1所述的具备超低接触电阻的硅基半导体场...
【技术特征摘要】
1.一种具备超低接触电阻的硅基半导体场效应晶体管制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：
2.根据权利要求1所述的具备超低接触电阻的硅基半导体场效应晶体管制备方法，其特征在于，所述制备方法还包括脉冲激光熔融步骤，该脉冲激光熔融步骤在完成所述衬底的离子注入后，使用脉冲激光器对衬底进行熔融处理。
3.根据权利要求1所述的具备超低接触电阻的硅基半导体场效应晶体管制备方法，其特征在于，所述s100中的离子注入采用硫族元素超掺杂方式，制备出具有10^21 cm^-3电子密度的超掺杂硅层。
4.根据权利要求1所述的具备超低接触电阻的硅基半导体场效应晶体管制备方法，其特征在于，所述s200中的金属沉积的顺序为通过溅射沉积在衬底上沉积出一层粘附层，然后在所述粘附层上通过电子束蒸发沉积出导电防腐层。
5.根据权利要求4所述的具备超低接触电阻的硅基半导体场效应晶体管制备方法，其特征在于，所述粘附层程沉积在所述衬底上，粘附层用于肖特基势垒的调控和阻挡杂质元素扩散到半导体材料中；所述导电防腐层沉积在粘附层上，所...
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。