【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于红外,具体涉及一种逆向生长黑化层及薄膜吸气剂的制冷型冷屏及其制作方法,用于长期使用免维护的制冷型红外焦平面探测器杜瓦产品。
技术介绍
1、冷屏产品集成在制冷型红外焦平面探测器杜瓦组件的内部,属于核心关键件,主要为光学系统匹配合适的f数,并用于屏蔽杂散光。
2、传统的冷屏结构,不具备吸气功能,制约红外焦平面探测器杜瓦组件的真空寿命。传统的冷屏黑化层制备方法,采用涂薄膜的方式制作冷屏产品中的黑化层,未见原位生长黑化层的相关报道。
3、传统的冷屏黑化层制备方法采用涂薄膜的方式制作冷屏产品中的黑化层,存在制作效率低、质量一致性难以保证的问题。
4、在红外焦平面探测器杜瓦组件的排气过程中,只能通过细而长的排气管抽真空。细长的排气管仅有10-5m3/s大小的流导,导致杜瓦内压强较高,再吸附严重。通常,冷屏产品将红外芯片全部包围,仅留有开孔很小的出气孔,严重影响排气效果。
5、冷屏内部的有效抽速见下式:
6、1/s=1/sp+1/c1+1/c2
7、其中,s为冷屏内
...【技术保护点】
1.一种逆向生长黑化层及薄膜吸气剂的制冷型冷屏,其特征在于,所述冷屏由薄壁挡片(200)和薄壁筒状形外壳(100)构成,所述薄壁挡片(200)与薄壁筒状形外壳(100)采用低放气率的粘接胶固定;
2.根据权利要求1所述的一种逆向生长黑化层和薄膜吸气剂的制冷型冷屏,其特征在于:
3.根据权利要求1所述的一种逆向生长黑化层和薄膜吸气剂的制冷型冷屏,其特征在于:
4.根据权利要求1-3任一项所述的一种逆向生长黑化层和薄膜吸气剂的制冷型冷屏的制作方法,其特征在于,包括以下步骤:
5.根据权利要求4所述的制作方法,其特征在于:
...【技术特征摘要】
1.一种逆向生长黑化层及薄膜吸气剂的制冷型冷屏,其特征在于,所述冷屏由薄壁挡片(200)和薄壁筒状形外壳(100)构成,所述薄壁挡片(200)与薄壁筒状形外壳(100)采用低放气率的粘接胶固定;
2.根据权利要求1所述的一种逆向生长黑化层和薄膜吸气剂的制冷型冷屏,其特征在于:
3.根据权利要求1所述的一种逆向生长黑化层和薄膜吸气剂的制冷型冷屏,其特征在于:
4.根据权利要求1-3任一项所述的一种逆...
【专利技术属性】
技术研发人员:张亚平,杨秀华,李杰,许丽娥,刘湘云,杨曼云,何晶,王明伟,王艳,杨强,张翠云,
申请(专利权)人:昆明物理研究所,
类型:发明
国别省市:
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