硒化铅的制备方法技术

本发明专利技术提供硒化铅的制备方法，包括：S1、将硒粉与铅粉混合，于炉体中进行烧结得到硒化铅；所述烧结过程中持续向炉体中通入保护性气体并持续排气确保炉体内为保护性气氛；S2、将硒化铅在保护性气氛下升温至1180～1250℃保温，降温，得到低氧硒化铅；所述保护性气氛的气体压力为2.5～3Mpa。上述制备方法工艺流程短、所需时间短、效率高、成本低，可大规模制备低氧硒化铅，具有良好的工业化应用前景；上述制备方法所制备的低氧硒化铅材料的氧和游离硒含量低。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及材料制备，更具体地说，它涉及一种硒化铅制备方法。

技术介绍

1、硒化铅是一种无机化合物，化学式为pbse,为铅灰色结晶性粉末，立方晶系结构，具有半导体性质，常被用作红外探测器、光电子器件和激光器件的材料。它也被用于一些光电子学和半导体工业领域。

2、硒化铅通常采用密闭的石英管制备，例如专利申请cn105140383a、cn108878635a和cn114890794a，均是采用pb、se以及其他掺杂元素作为原料，进行真空封管热处理熔炼，得到pbse材料，然而，pbse中se沸点较低，盛装原料的石英管内气体增多导致管内气压增大，容易使石英管变形炸裂，且该方法难以实现硒化铅的大规模生产。

3、专利申请cn115991603a公开了一种te/cr共掺杂pbse基热电材料的制备方法，以pb粉、se粉、cr粉和te粉为原料混合均匀后，装入刚玉坩埚中，再将刚玉坩埚装入石英管内，进行抽真空和高温封管，再将石英管放入井式炉中进行高温固相反应，具体为先升温至300℃保温12h，再升温至1100℃保温6h，最后降至650℃保温50h。该制本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种硒化铅的制备方法，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的硒化铅的制备方法，其特征在于，步骤S1中，所述烧结为两段烧结；所述两段烧结具体包括：先升温至300～350℃保温50～60min，然后升温到800～950℃保温30～60min。

3.如权利要求1所述的硒化铅的制备方法，其特征在于，所述硒粉与铅粉的摩尔比为1.2～1.3:1；

4.如权利要求1～3任意一项所述的硒化铅的制备方法，其特征在于，步骤S1中，烧结后随炉冷却至室温；

5.如权利要求1～3任意一项所述的硒化铅的制备方法，其特征在于，步骤S1中，所述炉体为气氛炉；...

【技术特征摘要】

1.一种硒化铅的制备方法，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的硒化铅的制备方法，其特征在于，步骤s1中，所述烧结为两段烧结；所述两段烧结具体包括：先升温至300～350℃保温50～60min，然后升温到800～950℃保温30～60min。

3.如权利要求1所述的硒化铅的制备方法，其特征在于，所述硒粉与铅粉的摩尔比为1.2～1.3:1；

4.如权利要求1～3任意一项所述的硒化铅的制备方法，其特征在于，步骤s1中，烧结后随炉冷却至室温；

5.如权利要求1～3任意一项所述的硒化铅的制备方法，其特征在于，步骤s1中，所述炉体为气氛炉；

6.如权利要求1～3任意一项所述的硒化铅的制备方法，其特征在于，步骤s2中，所述保温时间为1～3h；

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【专利技术属性】
技术研发人员：文崇斌，朱刘，童培云，
申请(专利权)人：先导薄膜材料广东有限公司，
类型：发明
国别省市：