【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种微波天线、包括其的电力供应装置以及基板处理装置。
技术介绍
1、半导体制造工艺作为用于在基板(例：晶片)上制造半导体元件的工艺，例如包括曝光、蒸镀、蚀刻、离子注入、清洗等。为了执行各个制造工艺，在半导体制造工厂的净化室内设置执行各工艺的半导体制造设备，并针对投入于半导体制造设备的基板执行工艺处理。
2、在半导体制造过程中，利用等离子体的工艺，例如蚀刻、蒸镀等被广泛使用。等离子体处理工艺是将基板安放在等离子体处理空间中的下部，并与用于等离子体处理的气体的供应一起通过位于上部的天线施加电压而执行。另一方面，另外介绍为了进行针对基板的热处理而从上方施加微波的形式的技术。
3、用于处理基板的电力供应装置设置于等离子体处理腔室的上方，电力供应装置可以包括施加用于等离子体处理的电压的上电极和施加用于热处理的微波的热处理装置。在此，重要的是配置零件以使得上电极和热处理装置可以彼此不干扰并有效率的同时有效地向等离子体处理腔室施加电力。
4、专利文献1：专利申请第10-2022-0059708号>
5、专利文献本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种微波天线，其中，包括：
2.根据权利要求1所述的微波天线，其中，
3.根据权利要求1所述的微波天线，其中，
4.根据权利要求1所述的微波天线，其中，
5.一种电力供应装置，向处理基板的腔室供应电力，其中，所述电力供应装置包括：
6.根据权利要求5所述的电力供应装置，其中，
7.根据权利要求6所述的电力供应装置，其中，
8.根据权利要求6所述的电力供应装置，其中，
9.根据权利要求5所述的电力供应装置，其中，
10.根据权利要求5所述的电力供应装置，其中，
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【技术特征摘要】
1.一种微波天线，其中，包括：
2.根据权利要求1所述的微波天线，其中，
3.根据权利要求1所述的微波天线，其中，
4.根据权利要求1所述的微波天线，其中，
5.一种电力供应装置，向处理基板的腔室供应电力，其中，所述电力供应装置包括：
6.根据权利要求5所述的电力供应装置，其中，
7.根据权利要求6所述的电力供应装置，其中，
8.根据权利要求6所述的电力供应装置，其中，
9.根据权利要求5所述的电力供应装置，其中，
10.根据权利要求5所述的电力供应装置，其中，
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