一种结型场效应管的建模方法及其模型技术

本发明专利技术提出一种结型场效应管的建模方法及其模型，以开源的结型场效应管的Verilog‑A模型为基础，从所述的Verilog‑A模型中获取所述结型场效应管的漏源电压；以所述漏源电压为自变量，以所述结型场效应管的夹断电压为因变量，采用二次函数、一次函数或者指数函数进行拟合，构建所述夹断电压与所述漏源电压的关系式，并将该关系式加入到所述的Verilog‑A模型中，得到结型场效应管的Verilog‑A改善模型。本发明专利技术可以准确表明出结型场效应管的夹断电压随漏源电压变化而变化的特性，具有较好的收敛性和仿真速度；与现有Verilog‑A模型相比，本发明专利技术还可以进行尺寸缩放，应用范围更广。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体建模领域，特别涉及一种结型场效应管的建模方法及其模型。

技术介绍

1、在芯片电路的设计过程中，半导体器件一些不可避免的效应对芯片的正常工作有着很大影响，因此模型的精度对芯片设计起着至关重要的影响。

2、结型场效应管(jfet)，通过形成两个二极管，控制两个二极管的电压来进行耗尽，控制夹断电压，由于其输入电阻高、噪声小、线性度好等优点在电路中有着广泛的应用。理想状态下，jfet的夹断电压不会随输入电压的大小发生变化，目前业界的大多数模型能够准确模拟单一夹断电压的jfet特性，比如hspice仿真器中的标准jfet模型。但是在一些特定的工艺条件下，jfet的夹断电压会随着漏源电压vds的变化而发生变化，但目前工业界应用最广的hspice模型及verilog-a模型都没有对jfet这种特性进行表征，同时主流verilog-a模型没有引入w(沟道宽度)相关参数从而使模型无法进行尺寸缩放。而在电路设计中，不准确jfet模型会造成电路设计精度下降，甚至造成电路功能异常。

3、目前业界应用最广的hspice模型可以准确表征jf本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种结型场效应管的建模方法，其特征在于，

2.根据权利要求1所述的结型场效应管的建模方法，其特征在于：从所述的Verilog-A模型中获取所述结型场效应管的栅源电压，根据所述结型场效应管的栅源电压、所述漏源电压和所述夹断电压构建不同状态下的所述结型场效应管的漏源电流的表达式，并将该表达式加入到所述的Verilog-A改善模型中。

3.根据权利要求2所述的结型场效应管的建模方法，其特征在于，不同状态下的所述漏源电流的表达式包括：

4.根据权利要求3所述的结型场效应管的建模方法，其特征在于：将结型场效应管的沟道宽度参数引入到所述的Verilog-A改善...

【技术特征摘要】

1.一种结型场效应管的建模方法，其特征在于，

2.根据权利要求1所述的结型场效应管的建模方法，其特征在于：从所述的verilog-a模型中获取所述结型场效应管的栅源电压，根据所述结型场效应管的栅源电压、所述漏源电压和所述夹断电压构建不同状态下的所述结型场效应管的漏源电流的表达式，并将该表达式加入到所述的verilog-a改善模型中。

3.根据权利要求2所述的结型场效应管的建模方法，其特征在于，不同状态下的所述漏源电流的表达式包括：

4.根据权利要求3所述的结型场效应管的建模方法，其特征在于：将结型场效应管的沟道宽度参数引入到所述的verilog-a改善模型中，得到可尺寸缩放的verilog-a改善模型。

5.根据权利要求4所述的结型场效应管的建模方法，其特征在于：根据所述漏源电流和有效沟道宽度参数的乘积构建新的漏源电流的表达式，并将该表达式加入到可尺寸缩放的verilog-a改善模型中；所述的新的漏源电流为所述可尺寸缩放的verilog-a改善模型中的漏源电流。

6.根据权利...

【专利技术属性】
技术研发人员：王飞，蒋盛烽，
申请(专利权)人：杰华特微电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：