集成电路良率分析方法、装置、电子设备和可读存储介质制造方法及图纸

本申请实施例提供了一种集成电路良率分析方法、装置、电子设备和可读存储介质，方法包括：生成第一数量的样本；选择其中第二数量的初始样本，采用SPICE得到仿真输出数据；根据初始样本及仿真输出数据训练得到排序模型；采用排序模型对剩余样本排序，选择其中顺序在先的第三数量的第一样本，采用SPICE得到仿真输出数据；根据第一样本仿真输出数据进行失效判断，若良率结果不满足良率分析停止条件，则迭代执行之前步骤，直至满足条件。本申请通过排序模型将待分析样本按输出性能从差到优排序，基于该顺序使用SPICE优先仿真性能较差的样本，不需要搜索整个样本空间就可以快速找出失效样本，提高了集成电路良率仿真效率。

【技术实现步骤摘要】

本申请实施例涉及数据处理，尤其涉及一种集成电路良率分析方法、装置、电子设备和可读存储介质。

技术介绍

1、随着集成电路制造工艺的不断进步，芯片尺寸越来越小，芯片的电路结构越来越复杂。比如，芯片尺寸己经进入纳米级别。在纳米尺度下，工艺参数的微小波动都会对元器件的电学性能产生显著影响，严重的可能导致器件失效。因此，集成电路的良率分析非常重要。

2、目前，集成电路的良率分析主要依赖于蒙特卡洛（monte carlo，mc）分析方法。蒙特卡洛分析方法通过在参数空间中随机采样，利用仿真电路模拟器（simulation programwith integrated circuit emphasis，spice）等电路仿真工具对样本进行电路性能仿真，然后根据仿真结果判断性能是否满足电路规格定义要求，找出全部的失效样本，计算失效样本占全部样本的比例，从而计算出电路良率。

3、然而，随着芯片集成度的提高，采用蒙特卡洛分析方法需要大量的样本，导致仿真次数呈指数级增长，计算资源消耗巨大，仿真效率下降。若减少样本数量又会降低集成电路良率分析的准确性，导致电本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种集成电路良率分析方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述返回执行选择第一样本的步骤，包括：

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：

5.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述排序一致性误差为斯皮尔曼相关系数或者肯德尔tau系数。

6.根据权利要求1-5中任一项所述的方法，其特征在于，所述良率分析停止条件包括：

7.一种集成电路良率分析装置，其特征在于，包括：

8.根据权利要求7所述的...

【技术特征摘要】

1.一种集成电路良率分析方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述返回执行选择第一样本的步骤，包括：

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：

5.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述排序一致性误差为斯皮尔曼相关系数或者肯德尔tau系数。

6.根据权利要求1-5中任一项所述的方法，其特征...

【专利技术属性】
技术研发人员：程平，刘谋斌，沈文豪，邵祥清，张立军，
申请(专利权)人：北京宽温微电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：