感光化射线性或感放射线性树脂组合物、抗蚀剂膜、图案形成方法及电子器件的制造方法技术

本发明专利技术提供一种感光化射线性或感放射线性树脂组合物、使用上述感光化射线性或感放射线性树脂组合物的抗蚀剂膜、图案形成方法及电子器件的制造方法，该感光化射线性或感放射线性树脂组合物在极微细的图案形成中，能够形成CDU优异的图案，即使在制备后经时之后，亦能够形成CDU优异的图案。感光化射线性或感放射线性树脂组合物含有由通式(Q1)表示的化合物(C)、及酸分解性树脂(A)。Ar1表示芳香族基团。W1表示有机基团。X1表示包含选自由‑O‑、‑S‑、‑C(＝O)‑、‑S(＝O)‑及‑S(＝O)2‑所组成的组中的至少一个的连接基团。Y1表示吸电子基团。Z1表示卤素原子。M+表示阳离子。k1表示1以上的整数。k2表示1以上的整数。其中，‑X1‑W1‑所表示的基团不包含*1‑O‑C(＝O)‑*2。*1及*2表示键结位置。*1是与Ar1的键结位置。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

本专利技术涉及感光化射线性或感放射线性树脂组合物、抗蚀剂膜、图案形成方法及电子器件的制造方法。更具体而言，本专利技术涉及能够适用于超lsi(large scaleintegration，大规模集成电路)及高容量微芯片的制造工序、纳米压印用模具制作工序及高密度信息记录介质的制造工序等的超光刻工序、以及可优选用于其他感光蚀刻加工工序的感光化射线性或感放射线性树脂组合物、感光化射线性或感放射线性膜、图案形成方法及电子器件的制造方法。

技术介绍

1、以往，在ic(integrated circuit，集成电路)、lsi(large scale integration)等半导体器件的制造工序中，通过使用抗蚀剂组合物的光刻术进行微细加工。近年来，随着集成电路的高集成化，要求形成亚微米区域或四分之一微米区域的超威细图案。伴随于此，曝光波长亦从g射线向i射线、进而向krf准分子激光等这样呈现短波长化的趋势，目前已开发出以具有波长193nm的arf准分子激光作为光源的曝光机。另外，作为进一步提高分辨力的技术，一直以来就在开发在投影透镜与试样之间充满高折射率的液体(以下，也称本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种感光化射线性或感放射线性树脂组合物，其含有由下述通式(Q1)表示的化合物(C)、及酸分解性树脂(A)，

2.根据权利要求1所述的感光化射线性或感放射线性树脂组合物，其中，所述化合物(C)为由下述通式(Q2)表示的化合物，

3.根据权利要求2所述的感光化射线性或感放射线性树脂组合物，其中，所述化合物(C)为由下述通式(Q3)表示的化合物，

4.根据权利要求3所述的感光化射线性或感放射线性树脂组合物，其中，所述化合物(C)为由下述通式(Q4)表示的化合物，

5.根据权利要求2～4中任一项所述的感光化射线性或感放射线性树脂组合物，其中，通...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

1.一种感光化射线性或感放射线性树脂组合物，其含有由下述通式(q1)表示的化合物(c)、及酸分解性树脂(a)，

2.根据权利要求1所述的感光化射线性或感放射线性树脂组合物，其中，所述化合物(c)为由下述通式(q2)表示的化合物，

3.根据权利要求2所述的感光化射线性或感放射线性树脂组合物，其中，所述化合物(c)为由下述通式(q3)表示的化合物，

4.根据权利要求3所述的感光化射线性或感放射线性树脂组合物，其中，所述化合物(c)为由下述通式(q4)表示的化合物，

5.根据权利要求2～4中任一项所述的感光化射线性或感放射线性树脂组合物，其中，通式(q2)～(q4)中的-so3-相对于x2在对位。

6.根据权利要求3或4所述的感光化射线性或感放射线性树脂组合物，其中，通式(q3)或(q4)中的k5×k6为1以上，r1含有酯键。

7.根据权利要求3所述的感光化射线性或感放射线性树脂组合物，其中，所述化合物(c)为由下述通式(q5)表示的化合物，

8.根据权利要求1～7中任一项所述的感光化射线性或感放射线性树脂组合物，其中，y1表示氟原子或氟化烃基。

9.根据权利要求1～8中任一项所述的感光化射线性或感放射线性树脂组合物，其中，x1或x2表示-o-。

10.根据权利要求3、4、6或7所述的感光...

【专利技术属性】
技术研发人员：户次洋佑，涩谷爱菜，小岛雅史，后藤研由，丸茂和博，
申请(专利权)人：富士胶片株式会社，
类型：发明
国别省市：