一种采用HF气体穿透种子层来制备电容式传感器的方法技术

本发明专利技术为一种采用HF气体穿透种子层来制备电容式传感器的方法，属于MEMS传感器技术领域。该方法首先对SOI晶圆片进行硼离子掺杂，然后制备上下电极体及焊点，接着进行高温退火形成HF可穿透的种子层，之后制备形成电容空腔、振膜体，最后进行划片即得到电容式传感器。本发明专利技术是基于MEMS技术而提出的一种全新的电容式传感器的制备方法，该方法制备得到的传感器的体积可控制在较小范围内，制造过程具有出色的一致性，可以实现高度集成，同时成本相对较低且容易批量生产。因此，本发明专利技术方法相对于现有技术而言更具吸引力，能够在各个应用领域中产生重要的影响。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于mems传感器，特别涉及电容式传感器的制作，具体是一种采用hf气体穿透种子层来制备电容式传感器的方法。

技术介绍

1、mems（微机电系统）继承了集成电路的先进制造工艺，相较于传统传感器，具有微型化、低成本、高效能和可大批量生产等优势，并且产能和良品率都很高。

2、基于mems技术的电容式传感器的制造方法主要包括牺牲层释放工艺、晶圆键合工艺，以及结合两者的改进工艺。典型的牺牲层释放工艺包括在晶圆上沉积氮化硅绝缘层，使用氢氧化钾湿法蚀刻去除牺牲多晶硅层，最后通过低压化学气相沉积氮化硅来密封蚀刻通道，该工艺流程较为复杂、制备难度较大、对操作员人的要求较高，从而导致制造过程效率低下，直接影响了产品的有效发展。

技术实现思路

1、本专利技术的目的是为了解决上述现有技术中存在的问题，而提供一种采用hf气体穿透种子层来制备电容式传感器的方法。本专利技术方法是一种新型的基于mems牺牲层释放的电容式传感器制造方法，无需刻蚀通道及密封，极大地简化了工艺流程，降低了制备难度。>

2、本专利技本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种采用HF气体穿透种子层来制备电容式传感器的方法 ，其特征在于，包括如下步骤：

2.根据权利要求1所述的一种采用HF气体穿透种子层来制备电容式传感器的方法 ，其特征在于：SOI晶圆片采用四寸晶圆片，device层的厚度为1.5um、oxide层的厚度为0.5um、handle层的厚度为300um。

3.根据权利要求1所述的一种采用HF气体穿透种子层来制备电容式传感器的方法 ，其特征在于：上电极体、电容空腔、振膜体均按5×5矩形阵列排布。

4.根据权利要求1所述的一种采用HF气体穿透种子层来制备电容式传感器的方法 ，其特征在于：上电极层、焊点、下电...

【技术特征摘要】

1.一种采用hf气体穿透种子层来制备电容式传感器的方法 ，其特征在于，包括如下步骤：

2.根据权利要求1所述的一种采用hf气体穿透种子层来制备电容式传感器的方法 ，其特征在于：soi晶圆片采用四寸晶圆片，device层的厚度为1.5um、oxide层的厚度为0.5um、handle层的厚度为300um。

3.根据权利要求1所述的一种采用hf气体穿透种子层来制备电容式传感器的方法 ，其特征在于：上电极体、电容空腔、振膜体均按5×5矩形阵列排布。

4.根据权利要求1所述的一种采用hf气体穿透种子层来制备电...

【专利技术属性】
技术研发人员：王任鑫，李照东，张文栋，张国军，何常德，贾利成，杨玉华，崔建功，
申请(专利权)人：中北大学，
类型：发明
国别省市：