【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体，尤其涉及一种半导体激光器温度控制方法、存储介质和电子设备。
技术介绍
1、半导体激光器是一种以半导体为工作材料的激光器，具有体积小、重量轻、成本低、光电效率高、覆盖波长范围广、工作寿命长等优点。然而半导体激光器在工作过程中，由于非辐射复合和辐射重吸收等能量损失，其工作效率只能达到40％-60％。其余的电能将转化为热能，并导致半导体激光器及其芯片温度快速上升。半导体激光器温度的升高会显著影响器件的使用寿命、操作稳定性和波长精度、以及折射率。因此，需要对半导体激光器的温度进行控制。
技术实现思路
1、本专利技术旨在至少在一定程度上解决相关技术中的技术问题之一。为此，本专利技术的一个目的在于提出一种半导体激光器温度控制方法、存储介质和电子设备，以实现对半导体激光器进行温度控制。
2、根据本专利技术实施例的第一方面，提供了一种半导体激光器温度控制方法，所述方法包括：
3、在将环境温度作为测试变量的情况下对半导体激光器进行第一温度控制测试，得到所述第一温...
【技术保护点】
1.一种半导体激光器温度控制方法，其特征在于，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一传递函数按照以下方式获得：
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述基于所述第一芯片温度、所述第一温度控制测试中的环境温度、所述第二芯片温度、所述第二温度控制测试中的控温组件功率、所述第二温度控制测试中的环境温度和所述系统传递函数获得控温组件功率与芯片温度的目标对应关系，包括：
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述第四芯片温度按照以下方式获得：
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一...
【技术特征摘要】
1.一种半导体激光器温度控制方法，其特征在于，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一传递函数按照以下方式获得：
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述基于所述第一芯片温度、所述第一温度控制测试中的环境温度、所述第二芯片温度、所述第二温度控制测试中的控温组件功率、所述第二温度控制测试中的环境温度和所述系统传递函数获得控温组件功率与芯片温度的目标对应关系，包括：
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述第四芯片温度按照以下方式获得：
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一温度控制测试中，环境温度的...
【专利技术属性】
技术研发人员：袁宏永，周帆，殷松峰，周扬，
申请(专利权)人：清华大学合肥公共安全研究院，
类型：发明
国别省市：
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