【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本申请案主张2022年2月22日提出申请的美国临时申请案第63/312,824号的优先权，在此将该美国临时申请案的整体揭示内容以引用方式并入本文。本案揭示内容的实施方式属于电子元件制造的领域。特定而言，本案揭示内容的实施方式涉及电子元件、处理系统和形成包括低电阻接触件(contact)的电子元件的方法。
技术介绍
1、晶体管是现代数字处理器和存储器装置的基本元器件，并且已在高功率电子装置中发现了应用。当前，有多种可用于不同的应用的晶体管设计或类型。各种晶体管类型包括例如双极结型晶体管(bjt)、结型场效应晶体管(jfet)、金属氧化物半导体场效应晶体管(mosfet)、垂直沟道或沟槽场效应晶体管、以及超级结或多漏极晶体管。在mosfet族群的晶体管中出现的一种晶体管是鳍式场效应晶体管(finfet)。
2、finfet能够在块体半导体基板(例如硅基板)上制造，并且finfet能够包括鳍状结构，该鳍状结构沿着基板表面在长度方向上前进且在垂直于基板表面的高度方向上延伸。鳍片具有狭窄的宽度，例如，小于250纳米。鳍片能够穿过绝缘层...
【技术保护点】
1.一种形成接触件的方法，所述方法包括：沉积功函数层，所述功函数层包括不形成硅化物的材料。
2.如权利要求1所述的方法，其中所述功函数层包括钛与一金属。
3.如权利要求2所述的方法，其中所述钛与所述金属形成合金或金属间物质。
4.如权利要求2所述的方法，其中所述金属包括铋。
5.如权利要求2所述的方法，其中所述金属包括铟。
6.如权利要求2所述的方法，其中所述金属包括锌。
7.如权利要求1所述的方法，其中所述功函数层不形成氧化物。
8.如权利要求1所述的方法，其中所述功函数层不形成氮化
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【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种形成接触件的方法，所述方法包括：沉积功函数层，所述功函数层包括不形成硅化物的材料。
2.如权利要求1所述的方法，其中所述功函数层包括钛与一金属。
3.如权利要求2所述的方法，其中所述钛与所述金属形成合金或金属间物质。
4.如权利要求2所述的方法，其中所述金属包括铋。
5.如权利要求2所述的方法，其中所述金属包括铟。
6.如权利要求2所述的方法，其中所述金属包括锌。
7.如权利要求1所述的方法，其中所述功函数层不形成氧化物。
8.如权利要求1所述的方法，其中所述功函数层不形成氮化物。
9.如权利要求1所述的方法，其中所述功函数层具有大于500摄氏度的熔化温度。
10.一种形成接触件的方法，所述方法包括：沉积功函数层，所述功函数层包括不形成硅化物的材料，所述功函数层包括钛与一金属，所述钛与...
【专利技术属性】
技术研发人员：迈克尔·哈维蒂，阿夫耶里诺斯·V·杰拉托斯，穆图库马尔·卡利亚潘，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：发明
国别省市：
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