一种基于PMOS管的闭环控制浪涌抑制电路制造技术

本发明专利技术提供了一种基于PMOS管的闭环控制浪涌抑制电路，涉及电子技术领域，该电路跨接在电源和负载之间，通过调节电阻阻值改变浪涌电压的防护阈值，当电源中浪涌电压超过浪涌电压的防护阈值，则通过PMOS管的闭环控制改变输出电压，从而调整基于PMOS管的闭环控制浪涌抑制电路的工作状态，以抑制浪涌电压。本发明专利技术利用较低成本且容易获取的分立器件设计闭环反馈，以单个或者多个并联的PMOS管为核心，通过调节参考电压可以精确设定浪涌电压的防护阈值，对高于防护阈值的电压进行钳位，使负载上的电压不高于防护阈值以保护负载，而当电源中浪涌电压不存在时，本发明专利技术不影响电源的输出特性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于电子，尤其是一种基于pmos管的闭环控制浪涌抑制电路。

技术介绍

1、工业和其他特种供电场合，直流供电的电源线上经常会叠加一些长达几十毫秒的正向高电压脉冲，称为电压浪涌。这些高压脉冲会损坏负载，因此需要浪涌抑制电路进行防护。

2、常见的浪涌抑制电路是简单的单个或组合式的tvs（transient voltagesuppressor，瞬态电压抑制二极管），其成本低，电路简单，但是此类特殊二极管tvs的击穿电压一致性很差，实际击穿电压也受温度和供电电压影响。使用中为确保tvs在电压正常时不击穿，往往选用的tvs需要击穿电压明显高于最大供电电压。这样当供电电路中的浪涌电压和最大供电电压相近时，就很难找到合适的tvs。

技术实现思路

1、为了解决现有技术中存在的上述问题，本专利技术提供了一种基于pmos管的闭环控制浪涌抑制电路。本专利技术要解决的技术问题通过以下技术方案实现：

2、一种基于pmos管的闭环控制浪涌抑制电路，所述基于pmos管的闭环控制浪涌抑制电路跨接在电源和负载之本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种基于PMOS管的闭环控制浪涌抑制电路，其特征在于，所述基于PMOS管的闭环控制浪涌抑制电路跨接在电源和负载之间，所述基于PMOS管的闭环控制浪涌抑制电路通过调节电阻阻值改变浪涌电压的防护阈值，当所述电源中的浪涌电压超过所述浪涌电压的防护阈值，则通过PMOS管的闭环控制改变输出电压，从而调整所述基于PMOS管的闭环控制浪涌抑制电路的工作状态，以抑制所述浪涌电压。

2.根据权利要求1所述的基于PMOS管的闭环控制浪涌抑制电路，其特征在于，所述基于PMOS管的闭环控制浪涌抑制电路包括：

3.根据权利要求2所述的基于PMOS管的闭环控制浪涌抑制电路，其特征在于，所...

【技术特征摘要】

1.一种基于pmos管的闭环控制浪涌抑制电路，其特征在于，所述基于pmos管的闭环控制浪涌抑制电路跨接在电源和负载之间，所述基于pmos管的闭环控制浪涌抑制电路通过调节电阻阻值改变浪涌电压的防护阈值，当所述电源中的浪涌电压超过所述浪涌电压的防护阈值，则通过pmos管的闭环控制改变输出电压，从而调整所述基于pmos管的闭环控制浪涌抑制电路的工作状态，以抑制所述浪涌电压。

2.根据权利要求1所述的基于pmos管的闭环控制浪涌抑制电路，其特征在于，所述基于pmos管的闭环控制浪涌抑制电路包括：

3.根据权利要求2所述的基于pmos管的闭环控制浪涌抑制电路，其特征在于，所述分压控制子电路包括第一电阻（r1）、第二电阻（r2）、pmos管（q1）；

4.根据权利要求2所述的基于pmos管的闭环控制浪涌抑制电路，其特征在于，所述反馈控制子电路包括第三电阻（r3）和第一npn管（q2）；

5.根据权利要求2所述的基于pmos管的闭环控制浪涌抑制电路，其特征在于，所述分压子电路包括第四电阻（r4）、...

【专利技术属性】
技术研发人员：靳文汇，朱飞，曹琳，张欣，
申请(专利权)人：西安龙飞电气技术有限公司，
类型：发明
国别省市：