【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
技术介绍
1、本专利技术涉及随机数生成，且更特定来说，涉及基于可生成随机数的电阻式随机存取存储器的非易失性、高密度集成电路存储器器件及相关方法。
2、随机数生成(rng)目前在系统的所有方式中使用。真随机数生成器(trng)创建一个序列，其中一个值不影响任何随后生成的值。基于软件的伪随机数生成器(prng)使用种子以完全确定性的方式生成数字，尽管在统计上类似于来自trng的数字。借助于物理不可克隆函数(puf)的唯一硬件标识也用于随机数生成。
技术实现思路
1、根据本专利技术的一些实施例，提供一种随机数生成器，其包括多个电阻式随机存取存储器rram器件，每一rram器件包含：第一电极；第二电极；位于第一和第二电极之间的第三电极；至少一个电绝缘层，其将所述第一电极和所述第二电极与所述第三电极隔离，其中所述至少一个电绝缘层具有基本上均匀的厚度；第一细丝，所述第一细丝是导电的并且延伸穿过所述至少一个电绝缘层；第二细丝位于所述至少一个电绝缘层中并且不延伸穿过所述至少一个电绝缘层；电压...
【技术保护点】
1.一种随机数生成器，包括：
2.根据权利要求1所述的随机数生成器，其中所述至少一个电绝缘层包括将所述第一电极与所述第三电极隔离的第一电绝缘层以及将所述第二电极与所述第三电极隔离的第二电绝缘层。
3.根据权利要求2所述的随机数生成器，其中所述第一、第二和第三电极以及所述第一和第二电绝缘层以水平布置分层。
4.根据前述权利要求中任一项所述的随机数生成器，其中所述第一、第二和第三电极相对于彼此平行布置。
5.根据前述权利要求中任一项所述的随机数生成器，其中所述至少一个电绝缘层是电绝缘材料的单保形层。
6.根据前述...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种随机数生成器，包括：
2.根据权利要求1所述的随机数生成器，其中所述至少一个电绝缘层包括将所述第一电极与所述第三电极隔离的第一电绝缘层以及将所述第二电极与所述第三电极隔离的第二电绝缘层。
3.根据权利要求2所述的随机数生成器，其中所述第一、第二和第三电极以及所述第一和第二电绝缘层以水平布置分层。
4.根据前述权利要求中任一项所述的随机数生成器，其中所述第一、第二和第三电极相对于彼此平行布置。
5.根据前述权利要求中任一项所述的随机数生成器，其中所述至少一个电绝缘层是电绝缘材料的单保形层。
6.根据前述权利要求中任一项所述的随机数生成器，其中所述至少一个电绝缘层具有基本上均匀的组成。
7.根据前述权利要求中任一项所述的随机数生成器，其中所述至少一个电绝缘层具有基本上均匀的厚度。
8.根据前述权利要求中任一项所述的随机数生成器，其中所述第一和第二细丝是低电阻细丝，并且其中所述电压源被配置成施加电压偏置以便随机地将所述第一或第二低电阻细丝中的一个的状态改变为高电阻状态，并且其中所述随机数生成器还可操作用于：
9.根据权利要求1所述的随机数生成器，其中所述至少一个绝缘层包括具有第一侧和第二侧的一个绝缘层，所述第三电极设置在所述第一侧和所述第二侧中的一个上，并且所述第一电极和所述第二电极设置在所述第一侧和所述第二侧中的另一个上，其中，电绝缘分隔件在所述第一电极和所述第二电极之间，其中，所述电绝缘分隔件形成至少一对电阻式随机存取存储器(rram) 器件，所述至少一对rram器件包括第一和第二rram器件，并且其中，每个rram器件包括：
10.一种器件，包括：
11.根据权利要求...
【专利技术属性】
技术研发人员：G·科恩，安藤崇志，龚南博，
申请(专利权)人：国际商业机器公司，
类型：发明
国别省市：
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