微型LED结构和微型显示面板制造技术

一种微型发光二极管(LED)结构，包括台面结构。所述台面结构进一步包括具有第一导电类型的第一半导体层、形成在所述第一半导体层上的发光层、和形成在所述发光层上的第二半导体层，所述第二半导体层具有不同于所述第一导电类型的第二导电类型。所述第二半导体层进一步包括半导体区和围绕所述半导体区形成的离子注入区，所述离子注入区的电阻比所述半导体区的电阻高。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

本公开文本总体上涉及发光二极管，并且更具体地涉及一种微型发光二极管(led)结构和一种包括所述微型led结构的微型显示面板。

技术介绍

1、无机微型发光二极管(也称为“微型led”或“μ-led”)由于其在包括例如自发射式微型显示器、可见光通信和光遗传学的各种应用中的使用而越来越重要。由于更好的应变弛豫、提高的光提取效率、均匀的电流扩展等，μ-led比传统led具有更佳的输出性能。与传统led相比，μ-led的特征在于改善的热效应、在更高的电流密度下改进的操作、更好的响应速率、更大的工作温度范围、更高的分辨率、更宽的色域、更高的对比度、以及更低的功耗等。

2、μ-led包括用于形成多个台面的iii-v族外延层。在某些μ-led设计中，需要在相邻的μ-led之间形成空间，以避免外延层中的载流子从一个台面扩散到相邻台面。相邻微型led之间形成的空间可能会减小有效发光区域并降低光提取效率。消除所述空间可能会增加有效发光区域，但这将导致外延层中的载流子横向扩散到相邻的台面上，并因此降低发光效率。此外，在相邻台面之间没有所述空间的情况下，在相邻的μ-le本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种微型发光二极管(LED)结构，其包括：

2.根据权利要求1所述的微型LED结构，其中，所述第一导电类型为P型，并且所述第二导电类型为N型。

3.根据权利要求1所述的微型LED结构，其进一步包括：

4.根据权利要求3所述的微型LED结构，其中，所述底部触头的中心、所述顶部触头的中心和所述半导体区的中心沿着垂直于所述第二半导体层的顶表面的同一轴线对准，并且其中，所述离子注入区的直径大于或等于所述顶部触头的直径。

5.根据权利要求3所述的微型LED结构，其进一步包括：顶部导电层，其形成在所述第二半导体层和所述顶部触头上。

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【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

1.一种微型发光二极管(led)结构，其包括：

2.根据权利要求1所述的微型led结构，其中，所述第一导电类型为p型，并且所述第二导电类型为n型。

3.根据权利要求1所述的微型led结构，其进一步包括：

4.根据权利要求3所述的微型led结构，其中，所述底部触头的中心、所述顶部触头的中心和所述半导体区的中心沿着垂直于所述第二半导体层的顶表面的同一轴线对准，并且其中，所述离子注入区的直径大于或等于所述顶部触头的直径。

5.根据权利要求3所述的微型led结构，其进一步包括：顶部导电层，其形成在所述第二半导体层和所述顶部触头上。

6.根据权利要求1所述的微型led结构，其中，

7.根据权利要求6所述的微型led结构，其中，所述半导体区的直径小于或等于所述底部触头的直径的三倍；并且所述离子注入区的直径大于所述半导体区的直径的两倍。

8.根据权利要求6所述的微型led结构，其中，

9.根据权利要求1所述的微型led结构，其中，所述离子注入区包括至少一种类型的注入离子。

10.根据权利要求9所述的微型led结构，其中，所述注入离子选自以下离子中的一种或多种：氢、氮、氟、氧、碳、氩、磷、硼、硅、硫、砷、氯和金属离子。

11.根据权利要求10所述的微型led结构，其中，所述金属离子选自锌、铜、铟、铝、镍、钛、镁、铬、镓、锡、锑、碲、钨、钽、锗、钼和铂中的一种或多种。

12.根据权利要求1所述的微型led结构，其中，所述第一半导体层的厚度大于所述第二半导体层的厚度。

13.根据权利要求12所述的微型led结构，其中，所述第一半导...

【专利技术属性】
技术研发人员：祝元坤，方安乐，刘德帅，
申请(专利权)人：上海显耀显示科技有限公司，
类型：发明
国别省市：