一种二氧化硅空心纳米线阵列及其制备方法与应用技术

本发明专利技术公开了一种二氧化硅空心纳米线阵列及其制备方法与应用，其制备方法包括如下步骤：将导电玻璃倾斜放置于六水合硝酸钴、氟化铵和尿素的混合溶液中，在导电玻璃上反应生长钴纳米锥阵列；将生长有钴纳米锥阵列的导电玻璃置于正硅酸乙酯溶液中反应，在钴纳米锥表面包覆二氧化硅；将包覆后的导电玻璃置于酸性溶液中刻蚀钴纳米锥，得到二氧化硅空心纳米线阵列。本发明专利技术采用水热法在导电玻璃基地上生长钴纳米锥阵列，然后在钴纳米锥阵列表面包覆一层二氧化硅，最后通过酸将钴纳米锥刻蚀，获得二氧化硅空心纳米线阵列，制备方法简单、成本低、效率高，空心纳米线阵列形貌均一，且具有良好的纵横比。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及二氧化硅空心纳米线阵列领域，具体涉及一种二氧化硅空心纳米线阵列及其制备方法与应用。

技术介绍

1、空心纳米阵列具有独特的物理性能和几何结构，例如电子扩散距离短，允许集成到更复杂的结构，为物质扩散提供足够的空间以及光捕获能力等，在光电催化、电催化、生化传感器等能量存储和转换领域引起越来也多的关注。

2、现有技术中的空心纳米阵列多采用等离子体刻蚀、气相沉积、高温热处理等工艺，制备工艺复杂、效率低且成本高。因此，研究开发工艺简单、成本低的空心纳米阵列具有重要意义。对于二氧化硅纳米材料阵列的研究主要集中在实心纳米线阵列、空心纳米碗的方向，专利cn 107163268 a公开了一种空心碗状纳米二氧化硅二维阵列结构。但是，目前对于二氧化硅空心纳米线阵列的研究未见报道。

技术实现思路

1、本专利技术要解决的技术问题是提供一种二氧化硅空心纳米线阵列及其制备方法与应用，采用水热法在导电玻璃基地上生长钴纳米锥阵列，然后在钴纳米锥阵列表面包覆二氧化硅，最后通过酸将钴纳米锥刻蚀，获得二氧化硅空心纳米线阵列，本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种二氧化硅空心纳米线阵列的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

2.如权利要求1所述的二氧化硅空心纳米线阵列的制备方法，其特征在于，所述六水合硝酸钴、氟化铵和尿素的质量比为1：(0.05-0.3)：(0.2-1.5)。

3.如权利要求1所述的二氧化硅空心纳米线阵列的制备方法，其特征在于，所述正硅酸乙酯溶液中正硅酸乙酯和溶剂的体积比为(3-15)：1。

4.如权利要求1所述的二氧化硅空心纳米线阵列的制备方法，其特征在于，S1中反应生长的温度为110-130℃。

5.如权利要求1所述的二氧化硅空心纳米线阵列的制备方法，其特征在于，S2中反...

【技术特征摘要】

1.一种二氧化硅空心纳米线阵列的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

2.如权利要求1所述的二氧化硅空心纳米线阵列的制备方法，其特征在于，所述六水合硝酸钴、氟化铵和尿素的质量比为1：(0.05-0.3)：(0.2-1.5)。

3.如权利要求1所述的二氧化硅空心纳米线阵列的制备方法，其特征在于，所述正硅酸乙酯溶液中正硅酸乙酯和溶剂的体积比为(3-15)：1。

4.如权利要求1所述的二氧化硅空心纳米线阵列的制备方法，其特征在于，s1中反应生长的温度为110-130℃。

5.如权利要求1所述的二氧化硅空心纳米线阵列的制备方法，其特征在于，s2中反应前调...

【专利技术属性】
技术研发人员：何乐，李超然，喻柯玮，
申请(专利权)人：苏州大学，
类型：发明
国别省市：