【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及等离子体cvd装置及膜的制造方法。
技术介绍
1、作为在基材上形成膜的方法，已知有使用等离子体cvd装置的方法。
2、提出有一种等离子体cvd装置，其具备一对成膜辊、一对磁场产生部件、以及气体供给部(例如，参照下述专利文献1)。一对成膜辊相互分离地对置配置。一对成膜辊与电源连接。一对磁场产生部件配置于一对成膜辊各自的内部。另外，一对磁场产生部件使一对成膜辊之间产生磁场。通过向成膜辊施加电源，产生等离子体。等离子体通过由磁场产生部件产生的磁场而被封闭到一对成膜辊之间，并收敛于一对成膜辊的对置面。
3、在使用等离子体cvd装置的膜的形成方法中，将长条的基材分别架设于一对成膜辊上，一边在一对成膜辊的对置面上行进，一边使源自从气体供给部供给的原料气体的成分堆积于基材的表面。
4、现有技术文献
5、专利文献
6、专利文献1：(日本)特开2008－196001号公报
技术实现思路
1、专利技术所要解决的技术问题
2、...
【技术保护点】
1.一种等离子体CVD装置，其具备：
2.一种等离子体CVD装置，其具备：
3.一种等离子体CVD装置，其具备：
4.根据权利要求2或3所述的等离子体CVD装置，
5.根据权利要求2或3所述的等离子体CVD装置，
6.根据权利要求1所述的等离子体CVD装置，
7.一种膜的制造方法，
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种等离子体cvd装置，其具备：
2.一种等离子体cvd装置，其具备：
3.一种等离子体cvd装置，其具备：
4.根据权利要求2或3所述的...
【专利技术属性】
技术研发人员：高泽壮登，妹尾智之，小笹顺平，
申请(专利权)人：日东电工株式会社，
类型：发明
国别省市：
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