一种芯片RM模式控制方法、电子设备及存储介质技术

本发明专利技术提供一种芯片RM模式控制方法、电子设备及存储介质，涉及芯片控制技术领域，所述方法包括：获取切换电压值，所述切换电压值由第一RM模式对应的第一电压频率曲线与第二RM模式对应的第二电压频率曲线的交点确定；当进行调频处理时，确定目标电压值；在所述目标电压值大于所述切换电压值时，根据所述第一RM模式以及所述第一电压频率曲线调节工作电压和工作频率；在所述目标电压值小于等于所述切换电压值时，根据所述第二RM模式以及所述第二电压频率曲线调节工作电压和工作频率。相较于RM模式固定的方式，在相同工作电压的情况下能够获取更大的工作频率，有利于提高性能，在获取相同工作频率的情况下能够降低工作电压，有利于降低功耗。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及芯片控制，尤其涉及一种芯片rm模式控制方法、电子设备及存储介质。

技术介绍

1、rm模式（read margin mode）是在sram（静态随机存取存储器）中设置的一种模式，主要是调整和优化内存单元在读取数据时的稳定性和可靠性。不同rm模式通过调整sram单元的操作条件，如电压和频率，来提高或降低读取过程中的噪声容限。

2、现有技术中，芯片在工作过程中采用固定的rm模式，未充分利用不同的rm模式对芯片的功耗和性能进行优化。

技术实现思路

1、本专利技术提供一种芯片rm模式控制方法、电子设备及存储介质，用以解决现有技术中未充分利用不同rm模式对芯片的性能表现进行优化的缺陷。

2、本专利技术提供一种芯片rm模式控制方法，包括：

3、获取切换电压值，所述切换电压值由第一rm模式对应的第一电压频率曲线与第二rm模式对应的第二电压频率曲线的交点确定；

4、当进行调频处理时，确定目标电压值；

5、在所述目标电压值大于所述切换电压值时，根据所述第一本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种芯片RM模式控制方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的一种芯片RM模式控制方法，其特征在于，所述在所述目标电压值大于所述切换电压值时，根据所述第一RM模式以及所述第一电压频率曲线调节工作电压和工作频率，包括：

3.根据权利要求1所述的一种芯片RM模式控制方法，其特征在于，所述在所述目标电压值小于或等于所述切换电压值时，根据所述第二RM模式以及所述第二电压频率曲线调节工作电压和工作频率，包括：

4.根据权利要求1所述的一种芯片RM模式控制方法，其特征在于，所述第一RM模式以及所述第二RM模式，通过以下方式确定：p>

5.根据权...

【技术特征摘要】

1.一种芯片rm模式控制方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的一种芯片rm模式控制方法，其特征在于，所述在所述目标电压值大于所述切换电压值时，根据所述第一rm模式以及所述第一电压频率曲线调节工作电压和工作频率，包括：

3.根据权利要求1所述的一种芯片rm模式控制方法，其特征在于，所述在所述目标电压值小于或等于所述切换电压值时，根据所述第二rm模式以及所述第二电压频率曲线调节工作电压和工作频率，包括：

4.根据权利要求1所述的一种芯片rm模式控制方法，其特征在于，所述第一rm模式以及所述第二rm模式，通过以下方式确定：

5.根据权利要求2所述的一种芯片rm模式控制方法，其特征在于，所述在所述调频处理为升频处理并且所述目标电压值大于所述切换电压值时：根据所述目标电压值调整工作电压升压，包括：

6.根据权...

【专利技术属性】
技术研发人员：请求不公布姓名，
申请(专利权)人：上海壁仞科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：