防护膜、防护膜组件、曝光原版、曝光装置和防护膜的制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术涉及防护膜、防护膜组件、曝光原版、曝光装置和防护膜的制造方法，该防护膜，其包含多个碳纳米管且衍射峰比率为1.3以上，该多个碳纳米管的一部分形成多个管束，所述衍射峰比率表示：在利用透射电子显微镜对所述防护膜的表面进行观察得到的选区衍射图像中，第二高斯函数的高度与第一高斯函数的高度的比率。第二高斯函数为将第二绘制曲线拟合而得到的第二拟合函数的构成要素，第一高斯函数为将第一绘制曲线拟合而得到的第一拟合函数的构成要素，第一绘制曲线是相对于散射矢量q的、管束的来自管束格子的衍射强度弱的方向上的衍射强度的线形，第二绘制曲线是相对于散射矢量q的、所述衍射强度强的方向上的衍射强度的线形。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及防护膜、防护膜组件、曝光原版、曝光装置和防护膜的制造方法。

技术介绍

1、半导体集成电路的微细化正由光刻来推进。近年来，随着半导体集成电路的高精细化，使用了euv(extreme ultra violet：极紫外)光。euv光由于其波长短，因此容易被所有气体、液体以及固体吸收。因此，在使用euv光的曝光方法中，使用具备将euv光进行反射的反射层的光掩模，光掩模和光学系统被设置在真空腔室内。使用euv光作为曝光中使用的光(以下，称为“曝光光”。)的曝光(以下，称为“euv曝光”。)在真空气氛中进行。

2、然而，在真空腔室内会残存残留气体(例如，水分和有机物等)，由于euv光的照射，有可能会在光学系统所包括的镜、掩模的表面发生碳膜的附着等(以下，称为“污染”。)。污染的发生有可能会引起产量(throughput)的下降和转印性能的劣化。

3、作为污染对策，不对光学系统进行分解清洗而进行向真空腔室内供给氢气，将所发生的污染原地(in situ)清洁的操作(例如，专利文献1)。

4、对于光掩模，为了防止尘埃等异物附本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种防护膜，其包含多个碳纳米管，且衍射峰比率为1.3以上，所述多个碳纳米管的一部分形成多个管束，

2.根据权利要求1所述的防护膜，所述多个碳纳米管的下述式(1)所表示的直线性参数的平均值为0.10以下，

3.根据权利要求1或2所述的防护膜，多个所述管束的下述式(2)所表示的填充密度参数的平均值为0.20以下，

4.根据权利要求3所述的防护膜，所述填充密度参数的平均值为0.15以下。

5.根据权利要求1或2所述的防护膜，其平滑度评价值为0.070以下，所述平滑度评价值的单位是nm2/nm，

6.根据权利要求1或2所述的防护膜，...

【技术特征摘要】

1.一种防护膜，其包含多个碳纳米管，且衍射峰比率为1.3以上，所述多个碳纳米管的一部分形成多个管束，

2.根据权利要求1所述的防护膜，所述多个碳纳米管的下述式(1)所表示的直线性参数的平均值为0.10以下，

3.根据权利要求1或2所述的防护膜，多个所述管束的下述式(2)所表示的填充密度参数的平均值为0.20以下，

4.根据权利要求3所述的防护膜，所述填充密度参数的平均值为0.15以下。

5.根据权利要求1或2所述的防护膜，其平滑度评价值为0.070以下，所述平滑度评价值的单...

【专利技术属性】
技术研发人员：小野阳介，
申请(专利权)人：三井化学株式会社，
类型：发明
国别省市：