【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及随机存储材料及制备方法，特别是EPIR效应电阻式随机存储材 料及其制备方法和用途。属于新型信息电子材料领域。
技术介绍
非易失性存储器(NVM )是指在电源切断后，所存储的信息不会丢失的一 种存储器件。非易失性存储器广泛应用于计算机、汽车、家用电器、通讯、网 络和自动控制等现代工业领域。20世纪50年代以来，相继专利技术了掩膜只读存 储器(R0M )、电可擦写只读存储器(EPROM )、电可写可擦只读存储器(EEPROM ) 以及快闪存储器(FLASH )等非易失性存储器。近些年来，随着计算机运算性 能的提高及微型化趋势，新型的非易失性存储器，如铁电存储器(FRAM )、磁 性存储器(MRAM )和相变存储器(OUM )的研究得到了快速发展。针对信息市场的发展趋势，具备读写速度快，成本低，制作简单，存储密 度高，具有无限擦写、耗电量低等特点的非易失性存储器是未来的发展方向。 目前的情况是没有任何一类存储技术可以完全达到上述要求，所以世界上主要 的半导体和信息材料生产厂商都在加紧研发更新型的非易失性存储器。2000年美国Texas超导和空间外延中心报...
【技术保护点】
一种ＥＰＩＲ效应电阻式非易失性随机存储材料，它是一种采用固相反应法制备的单相钙钛矿结构的锰氧化物，通式为Ｒｅ↓［１－ｘ］Ａ↓［ｘ］ＭｎＯ↓［３］，其特征是具体通式为：Ｎｄ↓［１－ｘ］Ｓｒ↓［ｘ］ＭｎＯ↓［３］，０＜Ｘ＜１，称其为ＮＳＭＯ体系。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：杨昌平，陈顺生，邓恒，王瑞龙，王浩，杨道虹，
申请(专利权)人：湖北大学，
类型：发明
国别省市：83[中国|武汉]
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