一种应用于恒流源的高压点火线路制造技术

技术编号:42878137 阅读:17 留言:0更新日期:2024-09-30 15:03
本发明专利技术一种应用于恒流源的高压点火线路,其中变压器第一次级绕组一端通过整流二极管D<subgt;1</subgt;与储能电感L<subgt;1</subgt;一端连接,储能电感L<subgt;1</subgt;另一端通过二极管D<subgt;5</subgt;连接电压输出端,第一次级绕组另一端与续流二极管D<subgt;2</subgt;阳极、电阻R<subgt;1</subgt;一端连接,续流二极管D<subgt;2</subgt;阴极与储能电感L<subgt;1</subgt;一端连接,电阻R<subgt;1</subgt;另一端接地。第二次级绕组一端与电容C<subgt;3</subgt;一端连接,电容C<subgt;3</subgt;另一端通过整流二极管D<subgt;3</subgt;与二极管D<subgt;6</subgt;阳极连接,二极管D<subgt;6</subgt;阴极与电压输出端连接,第二次级绕组另一端通过NMOS管Q<subgt;1</subgt;分别与运算放大器U<subgt;1</subgt;、整流二极管D<subgt;4</subgt;阳极、电容C<subgt;4</subgt;负极连接,整流二极管D<subgt;4</subgt;阴极与电容C<subgt;3</subgt;另一端连接,电容C<subgt;4</subgt;正极连接在二极管D<subgt;6</subgt;阳极上,运算放大器负相输入端与电阻R<subgt;1</subgt;一端连接,运算放大器正相输入端连接基准电压,既实现了高压空载输出、又兼顾了低压、大电流和高效率的优点,可提高变压器磁芯利用率和正常工作时的转换效率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于高压点火领域,具体涉及一种应用于恒流源的高压点火线路


技术介绍

1、恒流源作为功率处理单元的核心器件,既需要空载高压输出进行高压点火,又需要点火完成后正常工作时有较良好的转换效率。目前常见的实现高压输出的方式有两种:即单端正反激线路和倍压整流线路。

2、常规的单端正反激线路能实现很高的输出电压,可以通过增加变压器的次级绕组匝数耦合出来很高的输出电压。以单端正激线路为例,具体线路图如图1所示,对现有高压点火线路的工作原理进行简要分析。在正半周期中,变压器t1斩波后经过整流管d1进行整流滤波,一部分能量储存在储能电感l1中,一部分能量供给输出侧;在负半周期中,整流管d1截止,储能电感l1放电,二极管d2续流导通,为输出侧供能。当恒流源产品要求具备高压点火功能时(如100v高压,100ma带载能力),而正常工作时电压较低(如17v),此时利用图1所示的高压点火线路,高压点火状态向正常工作状态切换时,输出电压变比高达6倍,虽然变压器的次级绕组匝数在能满足100v高压输出时,正常工作时的输出电压较低(约17v),但pwm控制器的占空比较小本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种应用于恒流源的高压点火线路,其特征在于,包括变压器T1、整流二极管D1、二极管D5、NMOS管Q1和运算放大器U1;

2.根据权利要求1所述的应用于恒流源的高压点火线路,其特征在于,所述变压器T1第一次级绕组的一端与整流二极管D1的阳极连接,整流二极管D1的阴极与储能电感L1的一端连接。

3.根据权利要求1所述的应用于恒流源的高压点火线路,其特征在于,所述储能电感L1的另一端与二极管D5的阳极连接,二极管D5的阴极连接电压输出端。

4.根据权利要求1所述的应用于恒流源的高压点火线路,其特征在于,所述变压器T1第一次级绕组的另一端还与电容C1的一...

【技术特征摘要】

1.一种应用于恒流源的高压点火线路,其特征在于,包括变压器t1、整流二极管d1、二极管d5、nmos管q1和运算放大器u1;

2.根据权利要求1所述的应用于恒流源的高压点火线路,其特征在于,所述变压器t1第一次级绕组的一端与整流二极管d1的阳极连接,整流二极管d1的阴极与储能电感l1的一端连接。

3.根据权利要求1所述的应用于恒流源的高压点火线路,其特征在于,所述储能电感l1的另一端与二极管d5的阳极连接,二极管d5的阴极连接电压输出端。

4.根据权利要求1所述的应用于恒流源的高压点火线路,其特征在于,所述变压器t1第一次级绕组的另一端还与电容c1的一端,电容c1的另一端与储能电感l1的另一端连接。

5.根据权利要求4所述的应用于恒流源的高压点火线路,其特征在于,所述运算放大器u1的负相输入端分别与nmos管q1的源极、电容c1的一端连接。

6.根据权利要求1所述的应...

【专利技术属性】
技术研发人员:熊国兴张小峰张娟王鲁付翀丽赵晓晓杨佳孟
申请(专利权)人:西安微电子技术研究所
类型:发明
国别省市:

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