【技术实现步骤摘要】
本专利技术是关于一种透明导电膜结构及应用透明导电膜的光能发电膜结构。
技术介绍
1、随着技术发展，现今的电子产品除了追求效能外，在外型上讲求轻薄，方便携带，现今配置有投射电容式触控面板的电子产品，常使用氧化铟ito(indium tin oxide)作为透明导电膜的材料，氧化铟ito为稀有金属，价格高，并且其物理性脆，不易应用于可折叠式或可挠式的电子产品。另外，为了追求较佳的面电阻，ito透明导电膜的厚度易造成面板龟裂的问题。
2、此外，若采用ito的替代材料，例如纳米碳管，制作透明导电膜，除工艺工序繁琐外，且制得的透明导电膜的透光率不高。
技术实现思路
1、有鉴于上述问题，本专利技术提出一种透明导电膜结构及一种应用透明导电膜的光能发电膜结构。
2、依据一实施例，一种透明导电膜结构包含基板及透明导电层，透明导电层设置于基板的表面，透明导电层的厚度介于0.05微米至0.4微米的范围间，透明导电层包含载体、纳米银线、及导电高分子粒子，纳米银线的长度介于在15微米至65微...
【技术保护点】
1.一种透明导电膜结构，其特征在于，包含：
2.如权利要求1所述的透明导电膜结构，其特征在于，于该透明导电层中，所述多个纳米银线与所述多个导电高分子粒子的重量比介于1：1.5至1：6的范围间，所述多个纳米银线的总重量介于该透明导电层的总重量的0.6％至2.5％的范围间。
3.如权利要求1所述的透明导电膜结构，其特征在于，还包含一保护层，设置于该透明导电层的表面，该保护层包含PEDOT:PSS导电高分子粒子、纳米碳管或石墨烯。
4.如权利要求1所述的透明导电膜结构，其特征在于，该透明导电层还包含纳米碳管或石墨烯。
5.如权...
【技术特征摘要】
1.一种透明导电膜结构，其特征在于，包含：
2.如权利要求1所述的透明导电膜结构，其特征在于，于该透明导电层中，所述多个纳米银线与所述多个导电高分子粒子的重量比介于1：1.5至1：6的范围间，所述多个纳米银线的总重量介于该透明导电层的总重量的0.6％至2.5％的范围间。
3.如权利要求1所述的透明导电膜结构，其特征在于，还包含一保护层，设置于该透明导电层的表面，该保护层包含pedot:pss导电高分子粒子、纳米碳管或石墨烯。
4.如权利要求1所述的透明导电膜结构，其特征在于，该透明导电层还包含纳米碳管或石墨烯。
5.如权利要求1至4任一项所述的透明导电膜结构，其特征在于，该基板为一pet基板或一玻璃基板。
6.一种应用透明导电膜的光能发电膜结构，其特征在于，包含：
7.如权利要求6所述的应用透明导电膜的光能发电膜结构，其特...
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