一种钕铁硼磁体及其制备方法技术

本公开涉及一种钕铁硼磁体及其制备方法，该方法包括：对R‑T‑B‑M合金粉末进行第一压型处理，得到密度为1.9~2.3g/cm<supgt;3</supgt;的第一压坯；对第一压坯进行第二压型处理，得到密度为3.6~4.2g/cm<supgt;3</supgt;的成型压坯；对成型压坯进行烧结处理和时效处理；其中，R‑T‑B‑M合金粉末中R的含量为28~30.5wt%；第一压型处理包括：对R‑T‑B‑M合金粉末进行第一压制，压制结束后施加第一取向磁场，然后施加第一退磁磁场；第二压型处理包括：对第一压坯进行第二压制时施加第二取向磁场，然后施加第二退磁磁场。本公开采用较低的预压密度进行第一压型处理，能够在低润滑剂添加量下，得到取向度一致性好、磁偏角小、双面表磁差小的高剩磁磁体。

【技术实现步骤摘要】

本公开属于钕铁硼磁体领域，具体涉及一种钕铁硼磁体及其制备方法。

技术介绍

1、烧结钕铁硼具有优异的磁性能，因而被广泛应用于航空航天、电子通讯、清洁能源、交通运输、医疗器械和家用电器等诸多领域。随着小型化、智能化和集成化设备的发展，所使用的烧结钕铁硼磁体需要相应具备更高的剩余磁化强度。

2、制备高剩磁烧结钕铁硼磁体的钕铁硼粉末原料一般稀土元素的含量较低，较常规粉末更容易被氧化，且磁体随着粉末成分、粒度以及模具的变化，容易出现粘性和流动性差的问题，从而导致制备的磁体存在取向度一致性差，磁偏角和双面表磁差较大，剩余磁化强度降低等问题。

技术实现思路

1、本公开的目的是提供一种钕铁硼磁体及其制备方法，本专利技术制备得到钕铁硼磁体的取向度一致性得到明显改善，磁偏角和双面表磁差较低，剩磁高。

2、为了实现上述目的，本专利技术第一方面提供一种制备钕铁硼磁体的方法，其中，该方法包括：

3、s1、对r-t-b-m合金粉末进行第一压型处理，得到密度为1.9~2.3g/cm3的第一压坯；

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【技术保护点】

1.一种制备钕铁硼磁体的方法，其中，该方法包括：

2.根据权利要求1所述的方法，其中，步骤S1包括，进行两次所述第一压型处理，得到所述第一压坯；其中第一次第一压型处理后得到的中间压坯的密度小于所述第一压坯的密度。

3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述中间压坯与所述第一压坯的密度差值为0.2~0.3g/cm3。

4.根据权利要求1~3中任意一项所述的方法，其中，所述第一取向磁场的方向与所述第二取向磁场的方向相同，所述第一取向磁场的方向与所述第一压型的压力方向垂直；所述第二取向磁场的方向与所述第二压型的压力方向垂直；

5.根据权利要求1~3...

【技术特征摘要】

1.一种制备钕铁硼磁体的方法，其中，该方法包括：

2.根据权利要求1所述的方法，其中，步骤s1包括，进行两次所述第一压型处理，得到所述第一压坯；其中第一次第一压型处理后得到的中间压坯的密度小于所述第一压坯的密度。

3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述中间压坯与所述第一压坯的密度差值为0.2~0.3g/cm3。

4.根据权利要求1~3中任意一项所述的方法，其中，所述第一取向磁场的方向与所述第二取向磁场的方向相同，所述第一取向磁场的方向与所述第一压型的压力方向垂直；所述第二取向磁场的方向与所述第二压型的压力方向垂直；

5.根据权利要求1~3中任意一项所述的方法，其中，所述第一压制与所述第二压制的压力方向相同；所述第一压制的压力为0.5~10mpa，可选为7~10mpa；

6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述r-t-b-m合金粉末的d50粒径为4~4.5μm，d90/d10为4.8~5.2。

7.根据权利要求...

【专利技术属性】
技术研发人员：林光明，王登兴，魏方允，徐道标，刘洋，
申请(专利权)人：宁波科宁达工业有限公司，
类型：发明
国别省市：