基板处理装置制造方法及图纸

基板处理装置包括：工艺腔室，在内部形成空间；基座，配置于工艺腔室的内部，并支承基板；气体产生部，配置于工艺腔室上；背板，配置于工艺腔室的上方，并形成有上下贯通的供应部以使得从气体产生部供应的工艺气体扩散到工艺腔室的内部；以及扩散块，配置于气体产生部和基座之间，并使得通过供应部供应的工艺气体扩散到工艺气体的内部，并且包括：固定部，固定于背板；扩散部，填充供应部的至少一部分并具有朝向气体产生部凸出的圆锥形状；以及支承部，连接固定部和扩散部并附着于圆锥的顶点。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种基板处理装置，更详细地，本技术涉及一种利用等离子体处理基板的装置。

技术介绍

1、基板处理装置是通过在密闭的处理空间施加电源而形成等离子体，执行对安置于基座(susceptor)之上的基板的表面进行蒸镀、蚀刻等处理工艺的装置。

2、所述等离子体意指由离子或电子、自由基等构成的离子化气体。所述等离子体通过非常高的温度或者强电场或高频率电磁场生成。所述等离子体可以在使用光刻胶的光刻工艺中各种应用。例如，所述等离子体可以应用在将在离子注入工艺等中用作掩模的光刻胶膜去除的灰化(ashing)工艺中。

技术实现思路

1、本技术的一目的是提供一种使等离子体跨基板全区域均匀地扩散的基板处理装置。

2、但是，本技术的目的不限上述的目的，将可以在不脱离本技术的构思以及领域的范围中进行各种扩展。

3、为了达成前述的本技术的一目的，可以是，根据本技术的一实施例的基板处理装置包括：工艺腔室，在内部形成空间；基座，配置于所述工艺腔室的内部，并支承基板；气体产生部，配置于所述工艺腔室上；本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种基板处理装置，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，

3.根据权利要求2所述的基板处理装置，其特征在于，

4.根据权利要求3所述的基板处理装置，其特征在于，

5.根据权利要求4所述的基板处理装置，其特征在于，

6.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，

7.根据权利要求6所述的基板处理装置，其特征在于，

8.根据权利要求7所述的基板处理装置，其特征在于，

9.一种基板处理装置，其特征在于，包括：

10.根据权利要求9所述的基板处理装置...

【技术特征摘要】

1.一种基板处理装置，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，

3.根据权利要求2所述的基板处理装置，其特征在于，

4.根据权利要求3所述的基板处理装置，其特征在于，

5.根据权利要求4所述的基板处理装置，其特征在于，

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【专利技术属性】
技术研发人员：朴瑄昱，申得秀，柳海永，朴炫九，李殷守，李在龙，林垠赞，张容文，
申请(专利权)人：三星显示有限公司，
类型：新型
国别省市：