【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及无线通信，特别是涉及一种射频发射混频器。
技术介绍
1、cmos工艺是在pmos和nmos工艺基础上发展起来的。cmos中的c表示“互补”，即将nmos器件和pmos器件制作在同一硅衬底上，制作cmos集成电路。cmos集成电路具有功耗低、速度快、抗干扰能力强、集成度高等众多优点。cmos工艺目前已成为当前大规模集成电路的主流工艺技术，绝大部分集成电路都是用cmos工艺制造的。
2、传统上变频混频器也是采用硅基cmos工艺，输出功率较低，通常还需要在系统链路中额外设置pa(power amplifier，功率放大器)做功率放大驱动天线将信号发射出去。传统的cmos变频混频器是差分输出，在系统发射链路中，需要外接巴伦将差分信号转成单端信号用于驱动pa，由于硅基芯片输出功率小，线性度不佳，所以根据发射功率要求需要外接多级pa，这样导致整机尺寸大，成本高的问题。
3、鉴于此，如何设计一种整机尺寸小、成本低的单端输出的射频发射混频器及无线通信终端设备成为本领域技术人员需要解决的问题。
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【技术保护点】
1.一种射频发射混频器，其特征在于，包括双平衡差分射频电路、中频差分电路、反相器及功率合成器，其中：
2.根据权利要求1所述的射频发射混频器，其特征在于，还包括射频运算放大器，所述射频运算放大器的第一输入端与所述双平衡差分射频电路的第一输出端连接，所述射频运算放大器的第二输入端与所述双平衡差分射频电路的第二输出端连接，所述射频运算放大器的第一输出端或第二输出端与所述反相器的输入端连接，所述反相器的输出端及所述射频运算放大器的第二输出端和第一输出端中未接所述反相器的一端与所述功率合成器的输入端连接；
3.根据权利要求2所述的射频发射混频器，其特征...
【技术特征摘要】
1.一种射频发射混频器，其特征在于，包括双平衡差分射频电路、中频差分电路、反相器及功率合成器，其中：
2.根据权利要求1所述的射频发射混频器，其特征在于，还包括射频运算放大器，所述射频运算放大器的第一输入端与所述双平衡差分射频电路的第一输出端连接，所述射频运算放大器的第二输入端与所述双平衡差分射频电路的第二输出端连接，所述射频运算放大器的第一输出端或第二输出端与所述反相器的输入端连接，所述反相器的输出端及所述射频运算放大器的第二输出端和第一输出端中未接所述反相器的一端与所述功率合成器的输入端连接；
3.根据权利要求2所述的射频发射混频器，其特征在于，所述射频运算放大器包括运算放大器、第一可变电阻和第二可变电阻，其中：
4.根据权利要求2所述的射频发射混频器，其特征在于，所述双平衡差分射频电路为有源双平衡吉尔伯特电路。
5.根据权利要求2所述的射频发射混频器，其特征在于，所述有源双平衡吉尔伯特电路包括第一nmos管、第二nmos管、第三nmos管、第四pmos管、第一恒流源和第二恒流源，其中：
6.根据权利要求1所述的射频发射混频器，其特征在于，所述中频差分电路包括第一中频差分子电路和...
【专利技术属性】
技术研发人员：俞天成，陈凡，尤西，
申请(专利权)人：烟台芯扬聚阵微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：
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