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一种一维铯铅卤化钙钛矿-功能化碳纳米管-反应性液晶复合材料及其制备方法和偏振光电器件技术

技术编号:42872551 阅读:41 留言:0更新日期:2024-09-27 17:32
本发明专利技术属于光电材料技术领域,提供了一种一维铯铅卤化钙钛矿‑功能化碳纳米管‑反应性液晶复合材料及其制备方法和偏振光电器件。本发明专利技术通过采用棒状铯铅卤化钙钛矿与反应性液晶和碳纳米管相互作用提高了偏振光电器件的稳定性,并且沿长度方向表现出了更优异的载荷输运和偏振吸收特性;通过4‑羟基‑己氧基‑4‑氰基联苯基团对碳纳米管进行功能化,提高碳纳米管在有机溶剂中的分散性,进一步提高偏振器件的光电响应特性;利用反应性液晶本身良好的外场响应取向特性和可紫外光聚合特性与棒状铯铅卤化钙钛矿结合,有利于在宏观范围内协同毛刷摩擦以及电场综合作用取向排列铯铅卤化钙钛矿‑功能化碳纳米管异质结构从而实现高效稳定偏振探测响应。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及光电材料,尤其涉及一种一维铯铅卤化钙钛矿-功能化碳纳米管-反应性液晶复合材料及其制备方法和偏振光电器件


技术介绍

1、近年来,小型化、集成化光电子信息器件发展日新月异,高效调控信号光的偏振态可以实现信号的高精度和强抗干扰传输、调制和解调等重要功能。因此,偏振光电器件在信号探测、偏振光源、传感器和宽波段调谐器等国家重要信息领域中发挥着越来越重要的作用。

2、目前,以铅基为代表的铯铅卤化钙钛矿(cspbx3,x=cl,br,i)是一类新兴的前沿光电功能材料,在光电探测领域具有重要的应用价值,但是由于cspbx3钙钛矿的离子属性,使其对氧气、水分和极性溶剂等环境比较敏感,稳定性差,进而使制得的光电器件光电响应度和光电响应速度差;同时,单一钙钛矿纳米晶受到单一能带结构影响,存在电荷迁移率低、载流子复合速率快等不足,影响光电器件的光电响应特性;且该类金属卤化钙钛矿材料的宏观状态为无序取向,一定程度上削弱了结构各向异性,使制得的光电器件偏振强度差。


技术实现思路

1、本专利技术的目的在于提供一本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种一维铯铅卤化钙钛矿-功能化碳纳米管-反应性液晶复合材料,包括反应性液晶和分散在所述反应性液晶中的功能化碳纳米管和棒状铯铅卤化钙钛矿;

2.根据权利要求1所述的一维铯铅卤化钙钛矿-功能化碳纳米管-反应性液晶复合材料,其特征在于,所述棒状铯铅卤化钙钛矿的制备包括以下步骤:

3.根据权利要求2所述的一维铯铅卤化钙钛矿-功能化碳纳米管-反应性液晶复合材料,其特征在于,所述步骤(1)中碳酸铯与所述步骤(2)中卤化铅的质量比为(1.1~1.25):1。

4.根据权利要求1所述的一维铯铅卤化钙钛矿-功能化碳纳米管-反应性液晶复合材料,其特征在于,所述功能化碳...

【技术特征摘要】

1.一种一维铯铅卤化钙钛矿-功能化碳纳米管-反应性液晶复合材料,包括反应性液晶和分散在所述反应性液晶中的功能化碳纳米管和棒状铯铅卤化钙钛矿;

2.根据权利要求1所述的一维铯铅卤化钙钛矿-功能化碳纳米管-反应性液晶复合材料,其特征在于,所述棒状铯铅卤化钙钛矿的制备包括以下步骤:

3.根据权利要求2所述的一维铯铅卤化钙钛矿-功能化碳纳米管-反应性液晶复合材料,其特征在于,所述步骤(1)中碳酸铯与所述步骤(2)中卤化铅的质量比为(1.1~1.25):1。

4.根据权利要求1所述的一维铯铅卤化钙钛矿-功能化碳纳米管-反应性液晶复合材料,其特征在于,所述功能化碳纳米管的制备包括:

5.根据权利要求4所述的一维铯铅卤化钙钛矿-功能化碳纳米管-反应性液晶...

【专利技术属性】
技术研发人员:铁伟伟王稷岩马天赐陈铭涵段博何伟伟张艳鸽杨昊龙王宇涛
申请(专利权)人:许昌学院
类型:发明
国别省市:

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