发光二极管外延片及其制备方法、LED技术

本发明专利技术涉及光电技术领域，公开了一种发光二极管外延片及其制备方法、LED，所述发光二极管外延片包括衬底，所述衬底上依次设有缓冲层、SiN层、三维成核层、非掺杂GaN层、N型GaN层、有源层、电子阻挡层、P型GaN层；所述三维成核层包括依次层叠的C/Mg共掺杂氮化物层、第一C掺杂含Ga氮化物层、第二C掺杂含Ga氮化物层，所述C/Mg共掺杂氮化物层的生长温度＜所述第一C掺杂含Ga氮化物层的生长温度＜所述第二C掺杂含Ga氮化物层的生长温度。本发明专利技术提供的发光二极管外延片提高GaN外延层的晶体质量，降低量子阱非辐射复合效率，提升发光二极管的发光效率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及光电，尤其涉及一种发光二极管外延片及其制备方法、led。

技术介绍

1、目前gan基发光二极管外延层结构包含衬底，在衬底上依次沉积缓冲层、三维成核层、非掺杂gan层、多量子阱层、电子阻挡层和p型gan层。而成核层在成长过程中产生线缺陷对于gan外延层的晶体质量影响巨大。

2、目前沉积三维成核层主要存在以下问题，第一，缓冲层沉积温度较低导致薄膜晶体质量较差，影响后续成核层的晶体质量。第二，成核层在沉积过程中无法控制其成核小岛密度，导致岛密度高，岛与岛的间距小，小岛过早融合产生线缺陷，并且线缺陷密度高，线缺陷不仅充当非辐射复合中心，而且会在禁带中引入能级，减少少子寿命，降低发光二极管发光效率。

技术实现思路

1、本专利技术所要解决的技术问题在于，提供一种发光二极管外延片，其提高gan外延层的晶体质量，降低量子阱非辐射复合效率，提升发光二极管的发光效率。

2、本专利技术所要解决的技术问题还在于，提供一种发光二极管外延片的制备方法，其工艺简单，能够稳定制得发光效率良好的发光二极管本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种发光二极管外延片，其特征在于，包括衬底，所述衬底上依次设有缓冲层、SiN层、三维成核层、非掺杂GaN层、N型GaN层、有源层、电子阻挡层、P型GaN层；

2.如权利要求1所述的发光二极管外延片，其特征在于，所述SiN层的厚度为1nm~50nm。

3.如权利要求1所述的发光二极管外延片，其特征在于，所述C/Mg共掺杂氮化物层的氮化物为GaN、AlGaN、InGaN、AlN、AlInGaN、BGaN、BAlN、BInGaN中一种。

4.如权利要求1所述的发光二极管外延片，其特征在于，所述C/Mg共掺杂氮化物层的厚度为0.05μm~0.5μm；...

【技术特征摘要】

1.一种发光二极管外延片，其特征在于，包括衬底，所述衬底上依次设有缓冲层、sin层、三维成核层、非掺杂gan层、n型gan层、有源层、电子阻挡层、p型gan层；

2.如权利要求1所述的发光二极管外延片，其特征在于，所述sin层的厚度为1nm~50nm。

3.如权利要求1所述的发光二极管外延片，其特征在于，所述c/mg共掺杂氮化物层的氮化物为gan、algan、ingan、aln、alingan、bgan、baln、bingan中一种。

4.如权利要求1所述的发光二极管外延片，其特征在于，所述c/mg共掺杂氮化物层的厚度为0.05μm~0.5μm；

5.如权利要求1所述的发光二极管外延片，其特征在于，所述第一c掺杂含ga氮化物层的含ga氮化物为gan、a...

【专利技术属性】
技术研发人员：程龙，郑文杰，高虹，刘春杨，胡加辉，金从龙，
申请(专利权)人：江西兆驰半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：