一种用于瓦片式阵列前端的耦合电路制造技术

本申请提供一种用于瓦片式阵列前端的耦合电路。射频耦合电路耦合电路包括：主传输线、对接SMP的类同轴结构、负载方阻、对接BGA的类同轴结构、包围式地、耦合线、接地柱；内埋式设计，小型化程度高，便于瓦片式集成，用于射频信号耦合。经链路仿真验证，该耦合电路X波段直通损耗小于0.05dB。耦合度34～37dB，方向性大于15dB。本发明专利技术结构平面化，平面尺寸小于7mm×4.2mm，总厚度小于0.75mm，适用于四层以上多层板内应用，加工制作方便，可集成性强，适用于瓦片式阵列信号监测。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及微波射频耦合电路，特别涉及一种用于瓦片式阵列前端的耦合电路。

技术介绍

1、随着电子系统集成化程度的不断提高，电子设备中高集成化、小型化的瓦片式前端、一体化前端逐渐成为应用主流。平面印制电路由于其集成性好，便于加工，常常用来做芯片和模组链接的桥梁，印制板不但承担着传输高、低频信号的作用，还常常被赋予功分、耦合等功能。由于处于射频前端，信号在印制板内的传输损耗格外被看重，损耗过高会影响噪声系数进而带来系统灵敏度下降。因此，满足频段所需的低损耗、印制内埋式耦合电路是研发领域的迫切需求。

2、已有文献报道了多层层叠设计的耦合器：例如：文献1(一种耦合器设计的多层叠层结构研究，陈媛，中国集成电路2023.4，总287期，55-60)；文献2(多层有机基板内埋入无源器件的小型化研究,2006，硕士论文)。但是目前的研究仍旧存在一定的问题：文献1应用多层叠层结构实现了900mhz通信频段的3db耦合器设计，其实现频段低，频带窄；文献2应用普通fr4材料制作的三维结构3db定向耦合器，尺寸较小，依然存在应用频段低、频带窄的情。</p>
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【技术保护点】

1.一种用于瓦片式阵列前端的耦合电路，其特征在于，所述耦合电路包括：

2.根据权利要求1的耦合电路，其特征在于，主传输线(1)线长3.394mm，耦合线(7)长1.92mm，对接BGA的类同轴结构(4)中心与周围的包围式地柱中心间距0.7mm；与包围式地平面间距0.5mm，耦合线(7)与包围式地(5)包围式地边沿间距0.125mm。

3.根据权利要求1的耦合电路，其特征在于，多层印制板(6)从上至下依次包括第一射频1地层、第一射频层、金属空层、第二射频1地层；

4.根据权利要求1的耦合电路，其特征在于，耦合电路位于多层板内，基于基片集成同轴线结构。...

【技术特征摘要】

1.一种用于瓦片式阵列前端的耦合电路，其特征在于，所述耦合电路包括：

2.根据权利要求1的耦合电路，其特征在于，主传输线(1)线长3.394mm，耦合线(7)长1.92mm，对接bga的类同轴结构(4)中心与周围的包围式地柱中心间距0.7mm；与包围式地平面间距0.5mm，耦合线(7)与包围式地(5)包围式地边沿间距0.125mm。

3.根据权利要求1的耦合电路，其特征在于，多层印制板(6)从上至下依次包括第一射频1地层、第一射频层、金属空层、第二射频1地层；

4.根据权利要求1的耦合电路，...

【专利技术属性】
技术研发人员：白明强，邢君，张兴稳，费新星，王湛，
申请(专利权)人：中国船舶集团有限公司第七二三研究所，
类型：发明
国别省市：